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제1 질화물 반도체층의 성장을 위한 성장 소스로서 적어도 In 소스를 포함하는 성장 소스를 공급하여, Ga을 포함하는 질화물 반도체층 위에 제1 질화물 반도체층을 성장시키는 제1 단계;제1 단계에서 공급되는 성장 소스를 변경하여, 성장된 제1 질화물 반도체층의 두께를 감소시키는 제2 단계;In 소스를 포함하도록 제2 단계에서 공급되는 성장 소스를 변경하여, 두께가 감소된 제1 질화물 반도체층 위에 공급하는 제3 단계;제3 단계에서 공급되는 성장 소스를 변경하여, 두께가 감소된 제1 질화물 반도체층의 두께 및 In의 조성을 조절하는 제4 단계; 그리고,두께 및 In의 조성이 조절된 제1 질화물 반도체층 위에 제1 질화물 반도체층보다 높은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 질화물 반도체층을 성장시키는 제5 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 1 항에 있어서, 제1 단계에서 공급되는 성장 소스는 In 소스와 질소 소스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 1 항에 있어서, 제2 단계에서 성장 소스의 변경은 In 소스의 공급을 차단함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 1 항에 있어서, 제3 단계에서 변경된 성장 소스는 In 소스와 질소 소스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 1 항에 있어서, 제4 단계에서 성장 소스의 변경은 In 소스의 공급을 차단함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 1 항 내지는 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 제2 단계에서 두께가 감소된 질화물 반도체층은 양자우물층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 1 항 내지는 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1,2,3,4 단계는 650℃ 내지 800℃의 온도 범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 7 항에 있어서, 제1,2,3,4 단계가 행해지는 동안에 온도가 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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제 1 항 내지는 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 제2 단계 및 제4 단계는 60초 이하의 시간 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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Ga을 포함하는 질화물 반도체층 위에 질화물 반도체층을 성장시키기 위한 소스로서 In 소스와 질소 소스만을 공급하여 상기 질화물 반도체층을 성장시키는 제1 단계;질소 소스만을 공급하고, In 소스의 공급을 중단하여 상기 질화물 반도체층의 두께를 감소시키는 제2 단계;두께가 감소된 질화물 반도체층 위에 In 소스의 공급을 재개하는 제3 단계; 그리고,질소 소스만을 공급하고, In 소스의 공급을 중단하여 제3 단계에서 형성된 질화물 반도체층의 두께 및 In의 조성을 조절하는 제4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
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기판;기판 위에 성장되며, 최상층이 Ga을 포함하는 질화물 반도체층인 적어도 하나 이상의 질화물 반도체층;최상층인 Ga을 포함하는 질화물 반도체층 위에 성장되는 양자우물층; 그리고,양자우물층 위에 성장되며, 양자우물층보다 높은 밴드갭 에너지를 가지는 추가의 질화물 반도체층;을 포함하며,양자우물층은 제1 성장 및 제1 성장정지에 의해 형성되는 에피 구조에 제2 성장 및 제2 성장정지를 행함으로써 형성되고,제1 성장 및 제1 성장정지에 의해 형성되는 에피 구조는 인듐이 풍부한 영역을 포함하며, 최상층인 Ga을 포함하는 질화물 반도체층과 인듐이 풍부한 영역 사이에서 인듐의 조성이 증가하는 제1 조성 경사 영역을 가지고, 인듐이 풍부한 영역과 추가의 질화물 반도체층 사이에서 인듐의 조성이 감소하는 제2 조성 경사 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 11 항에 있어서, 상기 질화물 반도체 발광소자는 제2 성장 및 제2 성장정지에 의해 국부적으로 높은 인듐 조성을 가지는 영역이 생성되며, 제1 성장 및 제1 성장에 의해 형성되는 에피 구조에 의해 발광되는 파장보다 긴 파장의 가시광을 발광하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 12 항에 있어서, 제2 성장에 사용되는 공급 소스는 In 소스와 질소 소스로 이루어지며, 제2 성장정지는 In 소스의 공급을 중지함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 11 항에 있어서, 상기 양자우물층은 InxGa1-xN로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 11 항에 있어서, 상기 양자우물층은 5nm 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 11 항에 있어서, 추가의 질화물 반도체층은 AlyGa1-yN (0≤y≤1)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 11 항에 있어서, 양자우물층에 접하며, 추가의 질화물 반도체층보다 밴드갭 에너지가 큰 적어도 하나의 AlyGa1-yN (0≤y≤1) 장벽층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 17 항에 있어서, 적어도 하나의 AlyGa1-yN (0≤y≤1) 장벽층과 양자우물층이 교대로 적층되어 다중양자우물구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 17 항에 있어서, 적어도 하나의 AlyGa1-yN (0≤y≤1) 장벽층과 양자우물층의 쌍이 100이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 11 항에 있어서, 최상층인 Ga을 포함하는 질화물 반도체층은 GaN인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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기판, 기판 위에 성장되며 최상층이 Ga을 포함하는 질화물 반도체층인 적어도 하나 이상의 질화물 반도체층, 최상층인 Ga을 포함하는 질화물 반도체층 위에 성장되는 양자우물층 그리고, 양자우물층 위에 성장되며 양자우물층보다 높은 밴드갭 에너지를 가지는 추가의 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 양자우물층은:인듐이 풍부한 영역을 포함하며, 최상층인 Ga을 포함하는 질화물 반도체층과 인듐이 풍부한 영역 사이에서 인듐의 조성이 증가하는 제1 조성 경사 영역을 가지고, 인듐이 풍부한 영역과 추가의 질화물 반도체층 사이에서 인듐의 조성이 감소하는 제2 조성 경사 영역을 가지는 에피 구조에, 적어도 1회의 추가 성장을 행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 21 항에 있어서, 양자우물층은 에피 구조에 적어도 1회의 추가의 성장정지를 더 행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 21 항에 있어서, 양자우물층은 에피 구조에 적어도 1회의 추가의 성장정지를 더 행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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