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질화물계 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015159304
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광추출 효율이 향상될 수 있도록 그 구조가 개선된 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자는 기판 위에 순차로 적층된 n-클래드층, 활성층 및 p-클래드층을 구비하고, 상기 n-클래드층은 제1 클래드층과 제2 클래드층 및 이들 사이에 개재되어 상기 활성층 내에서 발생되는 광을 회절 또는/및 산란시키는 것으로 다수의 나노-포스트들 어레이로 이루어진 광추출층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060012915 (2006.02.10)
출원인 삼성전기주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0081184 (2007.08.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020090079370;
심사청구여부/일자 Y (2007.05.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정욱 대한민국 경기 용인시 풍덕
2 전헌수 대한민국 경기 군포시
3 윤석호 대한민국 서울 서초구
4 김주성 대한민국 경기 용인시 죽

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0099095-13
2 보정요구서
Request for Amendment		 2006.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0026012-49
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-5023565-06
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5062967-87
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2007.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0345881-88
6 대리인해임신고서
Report on Dismissal of Agent		 2007.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0427143-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0015065-30
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0213452-89
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0449839-10
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0449840-67
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0542573-22
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0888815-55
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0054771-96
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0054770-40
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0220154-87
18 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2009.06.26 수리 (Accepted) 7-1-2009-0031735-64
19 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2009.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0524367-00
20 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.08.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0043903-64
21 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2009.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0395999-98
22 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2009.11.30 수리 (Accepted) 7-8-2009-0039403-16
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 순차로 적층된 n-클래드층, 활성층 및 p-클래드층;을 구비하고,상기 n-클래드층은 제1 클래드층과 제2 클래드층 및 이들 사이에 개재되어 상기 활성층 내에서 발생되는 광을 회절 또는/및 산란시키는 것으로 다수의 나노-포스트들 어레이로 이루어진 광추출층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노-포스트들은 상기 제1 클래드층 및 제2 클래드층의 형성물질과 굴절률이 다른 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 나노-포스트들은 굴절률이 2
4 4
제 3 항에 있어서,상기 나노-포스트들은 200㎚ 내지 780㎚의 범위의 파장에 대하여 투명한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
5 5
제 2 항에 있어서상기 나노-포스트들은 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2, ZrO 및 ZnO 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성되거나, 인듐산화물에 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 물질이 첨가되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 나노-포스트들의 배열주기는 100㎚ 내지 2000㎚인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
7 7
제 6 항에 있어서,상기 나노-포스트들의 배열주기는 700㎚인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 나노-포스트들 각각의 높이는 100㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 나노-포스트들 각각의 높이는 300㎚인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 나노-포스트들 각각의 직경은 100㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제1 클래드층과 제2 클래드층은 AlInGaN계 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제1 클래드층과 제2 클래드층은 실질적으로 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
13 13
기판 위에 순차로 n-클래드층, 활성층 및 p-클래드층 형성하는 단계;를 구비하고,상기 n-클래드층을 형성하는 단계는,상기 기판 위에 제1 클래드층을 형성하는 단계;상기 제1 클래드층 위에 광투과성 물질층을 형성하는 단계;상기 광투과성 물질층을 패터닝하여 상기 활성층 내에서 발생되는 광을 회절 또는/및 산란시키는 것으로 다수의 나노-포스트들 어레이로 이루어진 광추출층을 형성하는 단계; 및상기 제1 클래드층 위에 상기 광추출층을 매립하는 제2 클래드층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 광투과성 물질층의 패터닝은 홀로그램 리소그래피 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서,상기 광투과성 물질층은 상기 제1 클래드층 및 제2 클래드층의 형성물질과 굴절률이 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 광투과성 물질층은 굴절률이 2
17 17
제 16 항에 있어서,상기 광투과성 물질층은 200㎚ 내지 780㎚의 범위의 파장에 대하여 투명한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
18 18
제 15 항에 있어서,상기 광투과성 물질층은 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2, ZrO 및 ZnO 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성되거나, 인듐산화물에 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr 및 La 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 물질이 첨가되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
19 19
제 13 항에 있어서,상기 나노-포스트들의 배열주기는 100㎚ 내지 2000㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 나노-포스트들의 배열주기는 700㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
21 21
제 13 항에 있어서,상기 나노-포스트들 각각의 높이는 100㎚ 내지 1000㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
22 22
제 21 항에 있어서,상기 나노-포스트들 각각의 높이는 300㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
23 23
제 13 항에 있어서,상기 나노-포스트들 각각의 직경은 100㎚ 내지 1000㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
24 24
제 13 항에 있어서,상기 제1 클래드층과 제2 클래드층은 AlInGaN계 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
25 25
제 24 항에 있어서,상기 제1 클래드층과 제2 클래드층은 실질적으로 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
26 26
제 13 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 질화물계 반도체 발광소자
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2 EP01818991 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05391469 JP 일본 FAMILY
4 JP19214576 JP 일본 FAMILY
5 KR1020090103855 KR 대한민국 FAMILY
6 US07888694 US 미국 FAMILY
7 US08183068 US 미국 FAMILY
8 US20070187698 US 미국 FAMILY
9 US20100163912 US 미국 FAMILY

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6 JP5391469 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2007187698 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US2010163912 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US7888694 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US8183068 US 미국 DOCDBFAMILY
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