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패턴이 형성된 기판 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 기판

  • 기술번호 : KST2015159358
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판과 동종의 비정질 혹은 단결정 증착 방법을 통하여 패턴을 형성하는 기판 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 기판을 제공한다. 본 발명에 따른 기판 제조 방법의 일 태양은 단결정 기판 상에 기판과 동종의 비정질 박막을 증착하는 단계, 비정질 박막을 패터닝하여 비정질 박막의 패턴을 형성하는 단계 및 비정질 박막의 패턴을 열처리로써 재결정화시켜 단결정 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것이다. 단결정 기판을 식각하여 패턴을 형성하는 종래의 방법은 패턴의 균일성, 패턴 깊이의 제한, 양산성 확보의 어려움 등의 문제점을 가지고 있다. 본 발명에 따르면, 식각이 아닌 증착을 이용하여 패턴을 형성함으로써 종래 방법이 가진 문제점들을 극복할 수 있다.
Int. CL H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01)
출원번호/일자 1020060036547 (2006.04.24)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0104715 (2007.10.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤의준 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0282763-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0007986-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0274658-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0527328-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0527260-69
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0483572-24
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.10.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0042047-48
9 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2007.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0610336-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 기판 상에 상기 기판과 동종의 비정질 박막을 증착하는 단계;상기 비정질 박막을 패터닝하여 비정질 박막의 패턴을 형성하는 단계; 및상기 비정질 박막의 패턴을 열처리로써 재결정화시켜 단결정 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조 방법
2 2
단결정 기판 상에 구멍을 정의하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 구멍을 통해 상기 기판이 드러난 곳에 선택적 에피 성장(selective epitaxial growth)을 이용해 상기 기판과 동종의 단결정을 증착시켜 단결정 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, 리튬 알루미늄 산화물 및 마그네슘 산화물 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어이고 상기 재결정화는 900~1300℃의 온도 범위에서 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 재결정화는 산소(O2), 질소(N2) 또는 산소와 질소의 혼합 분위기에서 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 기판은 사파이어이고 상기 선택적 에피 성장을 500~1300℃의 온도 범위에서 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법
7 7
단결정 기판; 및상기 기판 상에 증착 방법으로 형성되고 상기 기판과 동종인 단결정 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판
8 8
제7항에 있어서, 상기 단결정 패턴은 뿔, 반구형 및 타원체형 중의 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 기판
9 9
제7항 또는 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 단결정 패턴은 퍼셋(facet)이 발달된 형상인 것을 특징으로 하는 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.