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CuInS2 박막의 제조방법에 있어서,1) 기판 상에 하기 화학식 1로 표시되는 구리 에틸부트릴아세테이트 또는 하기 화학식 2로 표시되는 구리 에틸이소부트릴아세테이트에서 선택되는 비대칭 구조의 구리 전구체를 금속유기물증착법(MOCVD)으로 증착하여 구리 박막을 제조하고, 2) 상기 구리 박막이 형성된 표면 상에 하기 화학식 3으로 표시되는 인듐-황을 포함하는 전구체를 금속유기물증착법으로 증착하여 CuInS2 박막을 제조하는 단계를 포함하는 CuInS2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 2) 단계의 증착이후, 열처리 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 1) 단계의 비대칭 구조의 구리 전구체가 아르곤 분위기 상태 또는 진공 상태에서 금속유기물증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 1) 단계의 비대칭 구조의 구리 전구체가 아르곤 분위기 상태에서 버블러 온도 80∼120℃이고, 기판 온도 320∼360℃에서 2∼3 시간동안 금속유기물증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 1) 단계의 비대칭 구조의 구리 전구체가 진공 상태에서 버블러 온도 80∼120℃이고, 기판 온도 300∼310℃에서 3∼5 시간동안 금속유기물증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 2) 단계의 인듐-황을 포함하는 전구체가 아르곤 분위기 상태 또는 진공 상태에서 금속유기물증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 2) 단계의 인듐-황을 포함하는 전구체가 아르곤 분위기 상태 또는 진공 상태에서 버블러 온도 150∼180℃이고, 기판 온도 350∼450℃에서 30∼300 분동안 금속유기물증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판이 유리 또는 ITO(인듐-주석산화물)/유리인 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막의 제조방법
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제1항의 제조방법으로 제조되되, 박막의 밴드갭이 1
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제10항에 있어서, 상기 CuInS2 박막이 태양전지 광흡수층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 상기 CuInS2 박막
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제1항의 제조방법으로 제조된 CuInS2 박막을 350∼450℃에서 60∼180 분동안 열처리하고, 열처리된 CuInS2 박막 상에 화학식 3으로 표시되는 인듐-황을 포함하는 전구체를 금속유기물증착법으로 더 증착시키는 것을 특징으로 하는 In2S3 박막의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 인듐-황을 포함하는 전구체가 아르곤 분위기 상태 또는 진공 상태에서 버블러 온도 150∼180℃이고, 기판 온도 350∼450℃에서 30∼300 분동안 증착되는 것을 특징으로 하는 상기 In2S3 박막의 제조방법
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제12항의 제조방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지의 윈도우용 In2S3 박막
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