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확산 제한 식각과정에 의한 수평 변환 다공성 실리콘 광학필터의 제조방법 및 그에 의한 필터구조

  • 기술번호 : KST2015159730
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 확산 제한 식각과정(Diffusion-limited Etch, DLE)을 이용하여 제작된 수평 변환 다공성 실리콘(porous silicon, PSi) 광학 필터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의할 경우 식각 용액(etchant)내의 반응성 이온의 확산을 이용하되, PSi 층의 테이퍼 축 방향으로 공진 주파수가 변하는 것은 관여된 식각 마스크 패턴에 의해 조절될 수다. 이에 의할 경우 테이퍼 된(즉, 점점 가늘어지는,tapered) 식각창(etch window opening)을 이용하여 선형적으로 변하는 광학 대역 통과 필터(band-pass filter)를 제작할 수 있다. 상기한 광학 필터의 파장 가변 범위는 10~100nm 이고 투과 대역폭은 1~10nm에서, 그리고 중심파장은 400~2000nm 사이에서 조절 가능하다.다공성 실리콘, 확산-제한 식각, tapered etch mask, 광학 대역통과필터
Int. CL G02B 5/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070097812 (2007.09.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-1374932-0000 (2014.03.10)
공개번호/일자 10-2009-0032500 (2009.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전헌수 대한민국 경기도 군포시 고산로***번길 *-**, 묘향아파트 *
2 황경욱 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김학제 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)
2 문혜정 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0699529-89
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0142689-50
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803495-88
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0883087-16
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0891074-66
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0014529-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0239773-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0016974-58
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0498756-76
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0844373-18
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0844383-75
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0112187-90
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
양극화 식각에 앞서 식각 마스크 형성단계;와 2 개의 챔버로 구성된 PSi 식각수조에서 행해지는 양극화 식각단계를 포함하여 구성되는 확산 제한 식각과정에 의한 수평변환 다공성 실리콘 광학 필터의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 식각 마스크는 식각창의 축을 따라 그 일단에서 타단으로 향하면서 폭이 점진적으로 줄어드는 테이퍼 식각창(tapered etch window opening)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 확산 제한 식각과정에 의한 수평변환 다공성 실리콘 광학 필터의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 테이퍼 식각창은 도 5에 도시된 바와 같은 형상으로 구성됨을 특징으로 하는 확산 제한 식각과정에 의한 수평변환 다공성 실리콘 광학 필터의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 테이퍼 식각창은 도 6에 도시된 바와 같은 형상으로 구성됨을 특징으로 하는 확산 제한 식각과정에 의한 수평변환 다공성 실리콘 광학 필터의 제조방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 테이퍼 식각창은 도 7에 도시된 바와 같은 형상으로 구성됨을 특징으로 하는 확산 제한 식각과정에 의한 수평변환 다공성 실리콘 광학 필터의 제조방법
6 6
제 2항에 있어서, 상기 테이퍼 식각창은 도 8에 도시된 바와 같은 형상으로 구성됨을 특징으로 하는 확산 제한 식각과정에 의한 수평변환 다공성 실리콘 광학 필터의 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 하나에 의한 확산 제한 식각과정에 의한 수평 변환 다공성 실리콘 광학 필터의 구조
8 8
제1항 내지 6항의 어느 한 항에 의한 필터의 구조로써, 상기 필터 구조는 8개의 λ/4 두께를 갖는 층으로 된 분배형 브래그 반사면(distributed Bragg reflectors(DBRs)) 사이에 끼워진 λ/2 두께의 중심부 스페이서층(central spacer layer)으로 구성되며, 파장 가변 범위는 10~100nm 이고, 투과 대역폭은 1~10nm에서, 그리고 중심파장은 400~2000nm 사이에서 조절 가능한 것을 특징으로 하는 수평변환 다공성 실리콘 광학 필터의 제조방법을 이용한 필터구조
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1 US2009087143 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8540862 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력재단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노바이오 시스템 및 응용 소재