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하이드록시아파타이트 세라믹의 표면 개질방법

  • 기술번호 : KST2015159812
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 600도 이상의 고온에서 제조된 하이드록시아파타이트 세라믹의 표면 개질방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 인산염을 물에 투입하여 인산 이온이 포함된 수용액을 준비하는 단계와; 상기 인산 이온 수용액에 상기 하이드록시아파타이트 세라믹을 침전하여 숙성시키는 단계와; 상기 숙성이 완료된 상기 하이드록시아파타이트 세라믹을 물로 세척하는 단계와; 및 상기 세척이 완료된 상기 하이드록시아파타이트 세라믹을 건조하는 단계를 포함하는 하이드록시아파타이트 세라믹의 표면 개질방법이 제공된다. 하이드록시아파타이트, 인산염, 열분해, 표면개질
Int. CL A61F 2/28 (2006.01) A61C 8/00 (2006.01)
CPC A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01)
출원번호/일자 1020070128061 (2007.12.11)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0934289-0000 (2009.12.18)
공개번호/일자 10-2009-0061170 (2009.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20091229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍국선 대한민국 서울 서초구
2 유현승 대한민국 경기 안양시 동안구
3 김동욱 대한민국 경기 성남시 수정구
4 조인선 대한민국 서울 동대문구
5 이정섭 대한민국 서울 노원구
6 정현석 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 바이오알파 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0888622-16
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0179663-29
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0016074-66
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0048405-23
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0358405-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0559957-36
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0559956-91
10 등록결정서
Decision to grant
2009.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0388037-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
600℃ 이상의 고온에서 제조된 하이드록시아파타이트 세라믹의 표면 개질방법으로서, 인산염을 물에 투입하여 인산 이온이 포함된 수용액을 준비하는 단계와; 상기 인산 이온 수용액에 상기 하이드록시아파타이트 세라믹을 침전하여 25℃ 내지 300℃의 온도범위에서 숙성시키는 단계와; 상기 숙성이 완료된 상기 하이드록시아파타이트 세라믹을 물로 세척하는 단계와; 및 상기 세척이 완료된 상기 하이드록시아파타이트 세라믹을 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이드록시아파타이트 세라믹의 표면 개질방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 인산 이온 수용액 제조를 위한 인산염은 인산 암모늄 이염기성 (diammonium hydrogen phosphate, (NH4)2HPO4), 인산 이수소 암모늄 (ammonium dihydrogen phosphate, NH4H2PO4), 인산나트륨 일염기(monosodium hydrogen phosphate monobasic, NaH2PO4), 인산나트륨 이염기(disodium hydrogen phosphate, Na2HPO4), 인산트리나트륨 (Sodium phosphate tribasic, Na3PO4), 인산칼륨 이염기성 (potassium phosphate dibasic, K2HPO4), 인산칼륨 일염기성 (potassium phosphate monobasic, KH2PO4), 다이메틸포스페이트 (dimethyl phosphate, C2H7PO4), 모노마그네슘 인산염 (monomagnesium phosphate, Mg(H2PO4)2), 마그네슘 인산염 이염기 (magnesium phosphate dibasic, MgHPO4), 리튬 디수소 인산염 (Lithium dihydrogen phosphate, LiH2PO4), 리튬 인산염 (Lithim phosphate, LiPO4), 칼슘수소인산염 수화물 (calcium hydrogen orthophosphate hydrate, CaHPO4·2H2O), 칼슘수소인산염 (Calcium hydrogen orthophosphate, CaHPO4), 칼슘폴리포스페이트 (Calcium phosphate, CaP2O6), 비정질 인산칼슘 (amorphous calcium phosphate, Ca3(PO4)2)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 하이드록시아파타이트 세라믹의 표면 개질방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 인산염은 물에 0
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 인산 이온 수용액에 상기 하이드록시아파타이트 세라믹을 0
5 5
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패밀리정보가 없습니다
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