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폴리벤즈이미다졸계 고분자 및 이를 포함하는 전해질막

  • 기술번호 : KST2015159914
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 곁사슬로 아릴기가 도입된 폴리벤즈이미다졸계 고분자 및 이 고분자를 포함하는 전해질막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 폴리벤즈이미다졸계 고분자는 유기용매에 대한 용해도가 증가하고 결정성이 감소하며, 이러한 고분자를 포함하는 전해질막은 열적 안전성을 유지하면서 높은 수소 이온 전도도를 가질 수 있다. 아울러, 이러한 전해질막을 포함하는 막전극 접합체 및 연료전지는 성능이 향상될 수 있다. 연료전지, 전해질막
Int. CL H01M 10/05 (2010.01) C08G 73/18 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08G 73/18(2013.01) C08G 73/18(2013.01) C08G 73/18(2013.01) C08G 73/18(2013.01)
출원번호/일자 1020070076080 (2007.07.27)
출원인 주식회사 엘지화학, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1093281-0000 (2011.12.06)
공개번호/일자 10-2009-0011980 (2009.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20111214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용수 대한민국 대전 서구
2 이종찬 대한민국 서울시 서초구
3 김태호 대한민국 서울시 관악구
4 원정혜 대한민국 대전 유성구
5 신정규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0551755-65
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0235088-20
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0343458-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0137755-39
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0271929-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0343387-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0343388-61
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0677624-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리벤즈이미다졸계 고분자: [화학식 1] (상기 화학식 1에서, L은 -O-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(CH3)2- 및 -C(CF3)2- 중에서 선택되며, Ar은 페닐(phenyl)기임)
2 2
제1항에 있어서, 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 추가로 포함하는 것이 특징인 폴리벤즈이미다졸계 고분자: [화학식 2] (상기 화학식 2에서 R은 , , , , , 중에서 선택됨); [화학식 3]
3 3
제1항에 있어서, 하기 화학식 4로 표시되는 고분자, 하기 화학식 5로 표시되는 고분자 및 하기 화학식 6으로 표시되는 고분자로 이루어진 군에서 선택된 폴리벤즈이미다졸계 고분자: [화학식 4] ; [화학식 5] ; [화학식 6] (상기 화학식 4 내지 화학식 6에서, L은 -O-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(CH3)2- 및 -C(CF3)2- 중에서 선택되며, Ar은 페닐(phenyl)기이고, R은 , , , , , 중에서 선택되며, n은 2 내지 10,000이고, X와 Y는 각각 독립적으로 1 내지 10,000이고, X와 Y의 몰비율은 1~99:99~1임)
4 4
제3항에 있어서, 상기 화학식 4로 표시되는 고분자는 하기 반응식 1에 의해 제조될 수 있는 것이 특징인 폴리벤즈이미다졸계 고분자: [반응식 1] (상기 반응식 1에서, L은 -O-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(CH3)2- 및 -C(CF3)2- 중에서 선택되며, Ar은 페닐(phenyl)기임)
5 5
제3항에 있어서, 상기 화학식 5로 표시되는 고분자는 하기 반응식 2에 의해 제조될 수 있는 것이 특징인 폴리벤즈이미다졸계 고분자: [반응식 2] (상기 반응식 2에서, L은 -O-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(CH3)2- 및 -C(CF3)2- 중에서 선택되며, Ar은 페닐(phenyl)기이고, R은 , , , , 및 중에서 선택됨)
6 6
제5항에 있어서, 상기 반응식 2에서 사용되는 HOOC-R-COOH는 테레프탈릭산, 이소프탈릭산(isophthalic acid), 프탈릭산(phthalic acid), 1,4-나프탈렌다이카르복시산, 2,6-나프탈렌다이카르복시산 및 4,4'-바이페닐다이카르복사산으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특징인 폴리벤즈이미다졸계 고분자
7 7
제3항에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 고분자는 하기 반응식 3에 의해 제조될 수 있는 것이 특징인 폴리벤즈이미다졸계 고분자: [반응식 3] (상기 반응식 3에서 L은 -O-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(CH3)2- 및 -C(CF3)2- 중에서 선택되며, Ar은 페닐(phenyl)기임)
8 8
제4항, 제5항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 페닐알콕시테레프탈릭산, 5-페닐알콕시이소프탈릭산, 페닐설포닐테레프탈릭산, 5-페닐설포닐이소프탈릭산, 페닐옥소테레프탈릭산, 5-페닐옥소이소프탈릭산, (2-페닐-프로판-2-닐)테레프탈릭산, 5-(2-페닐-프로판-2-닐)이소프탈릭산, (1,1,1,3,3,3-헥사프루오로-2-페닐-프로판-2-닐)테레프탈릭산 및 5-(1,1,1,3,3,3-헥사프루오로-2-페닐-프로판-2-닐)이소프탈릭산으로 이루어진 군으로부터 선택된 것임이 특징인 폴리벤즈이미다졸계 고분자
9 9
제1항에 기재된 고분자를 포함하는 전해질막
10 10
캐소드(cathode); 애노드(anode); 및 제9항에 기재된 전해질 막;을 포함하는 막전극 접합체(membrane electrode assembly: MEA)
11 11
제10항의 막전극 접합체를 구비하는 연료전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.