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발광 다이오드 패키지 제조방법 및 발광 다이오드 패키지

  • 기술번호 : KST2015160122
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상압 플라즈마에 의해 칩 실장부재의 표면을 처리하여 몰딩부와의 접착력을 향상시키며서, 생산성 및 수율을 향상시킨 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 제조방법은 적어도 두 개의 리드 프레임을 마련하는 단계와; 상기 리드 프레임에 적어도 하나의 발광 다이오드 칩이 연결되는 연결면이 구비되도록 상기 리드 프레임을 하우징으로 패키징하여 칩 실장부재를 마련하는 단계와; 상압 플라즈마를 이용하여 상기 칩 실장부재의 표면을 처리하는 단계와; 상기 리드 프레임의 연결면에 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 연결하여 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결하는 단계와; 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 봉지하도록 상기 칩 실장부재의 표면 처리된 부위 중 적어도 일부 표면을 몰딩 수지로 덮는 단계를 포함한다.발광 다이오드, 리드 프레임, 몰딩부, 상압 플라즈마
Int. CL H01L 33/62 (2010.01)
CPC H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01)
출원번호/일자 1020090027492 (2009.03.31)
출원인 서울반도체 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1614488-0000 (2016.04.15)
공개번호/일자 10-2010-0109083 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20160422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울반도체 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 조유정 대한민국 서울특별시 송파구
3 오광용 대한민국 서울특별시 은평구
4 배윤정 대한민국 서울특별시 관악구
5 장정식 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울반도체 주식회사 경기도 안산시 단원구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0194025-04
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.05.31 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0349613-45
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2010.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0049839-91
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0366504-10
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2010.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0366503-75
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2010.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0051279-25
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0280086-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0004804-59
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0049007-68
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0230408-18
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0230407-73
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087193-51
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0496846-10
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0926591-35
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0926592-81
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5143160-58
20 등록결정서
Decision to grant
2016.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0035363-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
금속을 포함하는 적어도 두 개의 리드 프레임을 마련하는 단계와;상기 두 개의 리드 프레임의 표면에 요철이 형성되도록 상압 플라즈마를 이용하여 상기 두 개의 리드 프레임 표면을 예비처리하는 단계;상기 리드 프레임에 적어도 하나의 발광 다이오드 칩이 연결되는 연결면이 구비되도록 상기 리드 프레임을 하우징으로 패키징하여 칩 실장부재를 마련하는 단계와;상기 리드 프레임의 연결면에 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 연결하여 상기 리드 프레임에 전기적으로 연결하는 단계와;상압 플라즈마를 이용하여 발광 다이오드 칩이 구비된 상기 칩 실장부재의 표면에 요철이 형성되도록 상기 표면을 처리하는 단계와;상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 봉지하도록 상기 칩 실장부재의 표면 처리된 부위 중 적어도 일부 표면을 몰딩 수지로 덮는 단계를 포함하고,상기 두 개의 리드 프레임 표면을 예비처리하는 단계 및 상기 표면을 처리하는 단계에서 상압 플라즈마의 처리는 100W 내지 300W의 파워로 10초 내지 60초 동안 이루어지는 발광 다이오드 패키지 제조방법
3 3
삭제
4 4
청구항 2에 있어서,상기 칩 실장부재의 표면을 처리하는 단계에서 사용되는 상압 플라즈마의 소스 가스는 대기(atmosphere), 산소(O2), 질소(N2) 및 아르곤(Ar2)으로 이루어진 일군으로부터 선택되는 적어도 하나의 가스인 발광 다이오드 패키지 제조방법
5 5
삭제
6 6
금속을 포함하며 서로 이격 배치되는 적어도 두 개의 리드 프레임이 구비되고, 상기 리드 프레임을 패키징하는 하우징이 구비되는 칩 실장부재와;상기 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 발광 다이오드 칩과;상기 발광 다이오드 칩을 봉지하도록 상기 칩 실장부재의 표면 중 적어도 일부분을 덮는 몰딩 수지부를 포함하고,상기 칩 실장부재 중 적어도 상기 몰딩 수지부와 접촉되는 표면은 상압 플라즈마에 의해 표면처리되어 요철이 형성된 제1 처리면으로 이루어지며,상기 리드 프레임 중 적어도 상기 하우징과 접촉되는 표면은 상기 상압 플라즈마에 의해 표면처리되어 요철이 형성된 제2 처리면으로 이루어지고,상기 상압 플라즈마의 표면처리는 100W 내지 300W의 파워로 10초 내지 60초 동안 이루어지는 발광 다이오드 패키지
7 7
삭제
8 8
청구항 6에 있어서,상기 몰딩 수지부에는 적어도 하나 이상의 형광체를 함유하는 발광 다이오드 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.