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기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160136
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따르는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자 및 그 제조방법은 압전소자의 제조방법에 있어서, 평평한 기판의 상부에 분리층을 형성하는 단계와, 상기 분리층의 상부에 전극층을 형성하는 단계와, 상기 분리층을 산화시켜 분리시키기 위한 열처리단계 및 상기 전극층으로부터 형성된 전계에 의하여 압전특성을 나타내는 압전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 이에 의할 때 간단한 공정에 의하여 기판이 없으나 치밀하고 균열이 없는 압전막을 형성할 수 있고, 우수한 압전특성을 나타낼 수 있다.
Int. CL H01L 41/18 (2006.01)
CPC H01L 41/0973(2013.01) H01L 41/0973(2013.01)
출원번호/일자 1020070080735 (2007.08.10)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 경원산업 주식회사
등록번호/일자 10-0963215-0000 (2010.06.04)
공개번호/일자 10-2009-0016240 (2009.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20100610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.10)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 경원산업 주식회사 대한민국 경기도 시흥시 희

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현이 대한민국 서울 서초구
2 이경우 대한민국 경기 군포시
3 이재웅 대한민국 서울 노원구
4 박치성 대한민국 경북 경산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김현 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 오퓨런스)(법무법인 세창)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 경원산업 주식회사 대한민국 경기도 시흥시 희
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0582097-46
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034307-85
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.07.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5115596-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0104106-18
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0281373-96
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0347441-28
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0417324-60
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0487760-27
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0487761-73
12 보정요구서
Request for Amendment
2009.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0060310-41
13 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2009.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0510005-15
14 등록결정서
Decision to grant
2009.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0371886-86
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2012-5141736-96
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0004547-14
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
압전소자의 제조방법에 있어서, 실리콘기판과 그 상부에 백금이 적층되는 평평한 기판의 상부에 분리층을 형성하는 단계; 상기 분리층의 상부에 전극층을 형성하는 단계; 상기 분리층을 산화시켜 분리시키기 위한 열처리단계; 및 상기 전극층으로부터 형성된 전계에 의하여 압전특성을 나타내는 압전막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 열처리단계에서는 분리층이 산화되어 평평한 기판과 상기 전극층과의 분리가 가능한 산화층인 것을 특징으로 하는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 분리층은 탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 열처리단계는 그 온도가 400 내지 1400 ℃인 것을 특징으로 하는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 압전막은 그 두께가 3 내지 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전극층은 그 두께가 500㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 압전막을 형성하는 단계에는 타전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법
9 9
제 1 항, 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 기판이 없는 막의 특성이 우수한 압전소자의 제조방법으로 제조된 막특성이 우수한 압전소자
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