| 1 |
1
산화물 비드가 분산된 용액을 준비하는 단계;
기판 상에 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 마이크로 채널이 형성되도록 임시 구조물을 상기 기판의 상방에 설치하는 단계;
상기 산화물 비드가 분산된 용액과 기체를 교번적으로 상기 마이크로 채널에 주입하여 상기 기판 상에 상기 산화물 비드를 고정시키는 단계;
상기 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 2 |
2
산화물 비드가 분산된 용액을 준비하는 단계;
기판 상에 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴이 형성된 기판을 상기 산화물 비드가 분산된 용액에 담그고 꺼내는 과정을 적어도 1회 수행하여 상기 기판 상에 상기 산화물 비드를 고정시키는 단계;
상기 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 3 |
3
기판 상에 마이크로 채널이 형성되도록 임시 구조물을 상기 기판의 상방에 설치하는 단계;
산화물 비드와 폴리머 비드를 혼합하여 비드 혼합물을 형성하는 단계;
상기 비드 혼합물을 상기 마이크로 채널에 주입하여 상기 기판 상에 상기 산화물 비드와 상기 폴리머 비드를 조립하는 단계;
상기 임시 구조물을 상기 기판에서 분리하는 단계;
상기 폴리머 비드를 제거하는 단계;
상기 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 4 |
4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 사파이어, 리튬 알루미늄 산화물 및 마그네슘 산화물 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 5 |
5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화물 비드의 굴절률은 1
|
| 6 |
6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화물 비드는 SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2, CuO, Cu2O, Ta2O5, PZT(Pb(Zr,Ti)O3), Nb2O5, Fe3O4, Fe2O3 및 GeO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 7 |
7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화물 비드는 구형인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화물 비드의 직경은 0
|
| 9 |
9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판을 열처리하는 단계는 500 내지 1400℃의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제3항에 있어서,
상기 폴리머 비드를 제거하는 단계는 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 12 |
12
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 임시 구조물은 PDMS(polydimethylsiloane)로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 13 |
13
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 패턴은 레지스트(resist)에 의한 물리적 요철인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 14 |
14
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 패턴은 표면에너지 패턴인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,
상기 표면에너지 패턴은 소수성 또는 친수성 패턴인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
| 16 |
16
제3항에 있어서,
상기 기판 상에 마이크로 채널이 형성되도록 임시 구조물을 상기 기판의 상방에 설치하는 단계는,
상기 산화물 비드와 상기 폴리머 비드가 한 층으로 조립될 수 있도록 상기 임시 구조물을 설치하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
|
