맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 소자용 기판, 그 제조 방법 및 그 기판을 이용하여반도체 소자를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015160329
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고출력 발광다이오드(LED) 등의 제조에 사용될 수 있는 반도체 소자용 기판, 그 제조 방법 및 그 기판을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 기판은 사파이어 기판과 실리콘 기판 등 서로 종류가 다른 기판끼리 접합한 형태로, 반도체 소자 제조 공정의 단계를 줄일 뿐만 아니라 소자층 성장시 발생하는 응력 문제를 해결하여 양질의 반도체 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070085268 (2007.08.24)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0900807-0000 (2009.05.27)
공개번호/일자 10-2009-0020739 (2009.02.27) 문서열기
공고번호/일자 (20090604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.24)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤의준 대한민국 서울 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0613719-64
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0639703-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034371-97
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0348065-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0598018-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0598033-99
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0617391-56
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0855270-10
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0855296-96
12 등록결정서
Decision to grant
2009.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0090587-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소자층이 제조될 상면과 그 반대면인 하면을 구비하며 칩 영역을 분리하는 분리홈이 상기 하면에 형성된 단결정 기판; 및 상기 단결정 기판의 하면에 산화막을 매개로 하여 접합되고 상기 단결정 기판을 지지하기 위한 이종 기판을 포함하여, 소자층 제조 공정에 투입되는 것을 특징으로 하는 이종접합 기판
2 2
제1항에 있어서, 상기 단결정 기판은 사파이어, SiC, GaAs, GaN, AlN, ZrB2, LiAlO2, MgO, 스피넬(MgAl2O4), ZnO, LiGaO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이종접합 기판
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화막은 실리콘 산화막(SiO2), ZrO2, Al2O3, TiO2, PSG(Phosphorous Silicate Glass) 및 BPSG(Boro-Phosphorous Silicate Glass) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이종접합 기판
4 4
소자층이 제조될 상면과 그 반대면인 하면을 구비하는 단결정 기판의 상기 하면에 칩 영역을 분리하는 분리홈을 소자층 제조 공정 전에 형성하는 단계; 상기 단결정 기판 하면 및 상기 단결정 기판을 지지하기 위한 이종 기판의 상면 중 적어도 어느 한쪽에 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 산화막을 사이에 두고 상기 단결정 기판 하면과 상기 이종 기판을 접합하는 단계를 포함하여 소자층 제조 공정에 투입될 기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 접합하는 단계는 기판접합장치를 이용하거나 열처리를 통하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 따른 이종접합 기판 상에 소자층을 제조하고, 산화막을 제거함으로써 단결정 기판과 이종 기판을 분리하는 단계; 및 분리홈을 따라 브레이킹하여 칩으로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.