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외부로부터 인가되는 빛을 감지하여 전하를 생성하는 광 트랜지스터 ;선택 신호에 응답하여 상기 광 트랜지스터에 저장된 전하를 외부로 출력하거나 외부로부터 전하를 수신하여 상기 광 트랜지스터로 전달하는 선택 트랜지스터 ; 및리셋 신호에 응답하여 상기 광 트랜지스터의 베이스를 리셋 전압 레벨로 변화시키는 리셋 트랜지스터를 구비하고, 상기 광 트랜지스터는,P 형 서브스트레이트와 N 형 웰 및 상기 N 형 웰 내부의 P형 영역으로 형성되는 수직방향의 PNP 형 바이폴라 트랜지스터 ; 및상기 N 형 웰 및 상기 N 형 웰 내부의 두개의 P형 영역으로 형성되는 수평방향의 PNP 형 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 구조를 가지며,상기 광 트랜지스터의 게이트와 상기 N 형 웰이 연결되어 상기 베이스로서 동작되는 피모스(PMOS) 트랜지스터 구조인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 1항에 있어서, 양의 입력 단자로 소정의 셋 전압이 인가되고 음의 입력 단자로 상기 선택 트랜지스터의 제 1 단이 연결되는 적분기를 더 구비하고, 상기 적분기는, 적분기 제어 신호에 응답하여 상기 음의 입력 단자와 출력 단자를 연결하거나 차단하는 스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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삭제
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제 2항에 있어서, 상기 수평방향의 PNP 형 바이폴라 트랜지스터는,게이트가 이미터(emitter)를 둘러싸고 상기 게이트의 바깥쪽을 컬렉터가 둘러싸는 구조인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 2항에 있어서, 상기 선택 트랜지스터는,상기 제 1 단이 상기 적분기의 음의 입력 단자에 연결되며 제 2 단이 상기 광 트랜지스터의 이미터(emitter)에 연결되는 엔모스(NMOS) 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 2항에 있어서, 상기 리셋 트랜지스터는,상기 광 트랜지스터의 베이스에 제 1 단이 연결되고 리셋 전압에 제 2단이 연결되는 엔모스(NMOS) 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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7
제 2항에 있어서, 상기 광 트랜지스터가 리셋 되는 경우,상기 광 트랜지스터의 베이스와 이미터 사이에는 순방향 전압이 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 2항에 있어서, 상기 적분기 제어 신호가 하이 레벨인 경우 상기 적분기와 상기 광 트랜지스터가 리셋 되고 상기 적분기 제어 신호가 로우 레벨인 경우 상기 광 트랜지스터의 리셋 상태에 대응되는 전압 레벨이 독출 되거나 또는 상기 광 트랜지스터에 저장된 전하량에 대응되는 전압 레벨이 독출되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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9
외부로부터 인가되는 빛을 감지하여 전하를 생성하는 광 트랜지스터 ;선택 신호가 게이트로 인가되고 제 1단이 상기 광 트랜지스터의 이미터에 연결되어 상기 광 트랜지스터에 저장된 전하를 외부로 출력하거나 외부로부터 전하를 수신하여 상기 광 트랜지스터로 전달하는 제 1 피모스 트랜지스터 ; 및리셋 신호가 게이트로 인가되고 상기 광 트랜지스터의 베이스에 제 1 단이 연결되고 리셋 전압에 제 2단이 연결되어 상기 광 트랜지스터의 베이스를 리셋 전압 레벨로 변화시키는 제 2 피모스 트랜지스터를 구비하고, 상기 광 트랜지스터는,P 형 서브스트레이트 위에 N 형 웰이 형성되고 상기 N 형 웰 위에 P형 웰이 형성되는 트리플 웰(triple well) 구조를 가지고, 상기 P형 웰 내부의 N형 영역과 상기 P형 웰 및 상기 N 형 웰로 형성되는 수직방향의 NPN 형 바이폴라 트랜지스터 ; 및상기 P형 웰 및 상기 P형 웰 내부의 두개의 N형 영역으로 형성되는 수평방향의 NPN 형 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 구조를 가지며,상기 광 트랜지스터의 게이트와 상기 P 형 웰이 연결되어 상기 베이스로서 동작되는 엔모스(NMOS) 트랜지스터 구조인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 9항에 있어서, 양의 입력 단자로 소정의 셋 전압이 인가되고 음의 입력 단자로 상기 제 1 피모스 트랜지스터의 제 2 단이 연결되는 적분기를 더 구비하고, 상기 적분기는, 적분기 제어 신호에 응답하여 상기 음의 입력 단자와 출력 단자를 연결하거나 차단하는 스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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삭제
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제 9항에 있어서, 상기 수평방향의 NPN 형 바이폴라 트랜지스터는,게이트가 이미터(emitter)를 둘러싸고 상기 게이트의 바깥쪽을 컬렉터가 둘러싸는 구조인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 9항에 있어서, 상기 광 트랜지스터가 리셋 되는 경우,상기 광 트랜지스터의 게이트와 이미터 사이에는 순방향 전압이 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 10항에 있어서, 상기 적분기 제어 신호가 하이 레벨인 경우 상기 적분기 및 상기 광 트랜지스터가 리셋 되고 상기 적분기 제어 신호가 로우 레벨인 경우 상기 광 트랜지스터의 리셋 상태에 대응되는 전압 레벨이 독출 되거나 또는 상기 광 트랜지스터에 저장된 전하량에 대응되는 전압 레벨이 독출되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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제 10항에 있어서, 상기 적분기 제어 신호가 하이 레벨인 경우 상기 적분기 및 상기 광 트랜지스터가 리셋 되고 상기 적분기 제어 신호가 로우 레벨인 경우 상기 광 트랜지스터의 리셋 상태에 대응되는 전압 레벨이 독출 되거나 또는 상기 광 트랜지스터에 저장된 전하량에 대응되는 전압 레벨이 독출되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 단위 화소
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