미러판이 설치된 이동 콤의 수직 방향의 운동으로 이동 콤의 콤-핑거들이 고정 콤의 콤-핑거들 사이로 깍지끼듯이 삽입되는 수직 콤-드라이브 구동 구조의 마이크로미러에 있어서,

상기 미러판에 연결되어 미러판을 지지하고, 상기 이동콤이 수직 방향의 운동할 때 미러판의 회전축이 되는 하나 또는 그 이상의 비틀림 축을 상기 이동콤에 구비하고,

상기 이동콤에 설치된 미러판의 두께 및 상기 미러판과 연결되어 상기 비틀림 축을 구성하는 비틀림 빔의 두께가 상기 이동콤의 콤-핑거들의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 마이크로미러

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제1항에 있어서,

상기 마이크로미러는 절연층을 포함하는 다중충 웨이퍼에 형성되는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러

제4항에 있어서,

상기 이동 콤은 SOI 웨이퍼의 디바이스실리콘층에 형성되고, 상기 고정 콤은 SOI 웨이퍼의 핸들실리콘층에 형성되는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러

제5항에 있어서,

상기 마이크로미러의 구동 전압은 상기 고정 콤에 인가되는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러

제6항에 있어서,

상기 이동 콤이 형성된 SOI 웨이퍼의 디바이스실리콘층은 접지되는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러

제7항에 있어서,

상기 고정 콤은 구동 전압이 인가되는 전극 사이로 접지면이 삽입되는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러

제8항에 있어서,

제9항에 있어서,

상기 이동 콤이 형성된 디바이스실리콘층은 상기 고정 콤에 구동 전압을 인가하기 위한 전극 구멍이 형성되어 있는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러

미러판이 설치된 이동 콤의 수직 방향의 운동으로 이동 콤의 콤-핑거들이 고정 콤의 콤-핑거들 사이로 깍지끼듯이 삽입되는 수직 콤-드라이브 구동 구조의 마이크로미러의 제조 방법에 있어서,

상기 미러판이 설치된 이동 콤은, 절연막을 포함하는 다중실리콘기판의 제1도전층에 형성하고, 상기 고전 콤은 상기 절연막을 포함하는 다중실리콘기판의 제2도전층에 형성되는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러의 제조 방법

제11항에 있어서,

상기 절연막을 포함하는 다중실리콘기판은 SOI웨이퍼인 것을 특징으로 하는 마이크로미러의 제조 방법

제12항에 있어서,

표면/몸체 가공 기법을 사용하여 상기 이동 콤에 설치된 미러판 및 미러판과 연결되어 비틀림 축을 구성하는 비틀림 빔과 상기 이동 콤의 콤-핑거의 두께를 상이하게 설정하는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러의 제조 방법

제13항에 있어서,

상기 미러판 두께 및 상기 비틀림 빔의 두께는 반응성 이온 식각 공정에 의하여 조절되는 것임을 특징으로 하는 마이크로미러의 제조 방법

제14항에 있어서,

SOI 웨이퍼의 디바이스실리콘층 및 핸들실리콘층에 질화막/마스크산화막을 형성하는 단계; 상기 디바이스실리콘층에 이동 콤의 미러 모양을 패터닝한 후 상기 질화막이 드러나지 않도록 산화막을 식각하는 단계;

상기 핸들실리콘층에 고정 콤을 패터닝하고 산화막/질화막을 식각하는 단계;

상기 디바이스실리콘층에 이동 콤의 콤-핑거를 패터닝하고 포토리지스트를 제거하는 단계;

상기 디바이스실리콘층을 식각하되, 식각 후 디바이스실리콘층이 남아있도록 첫 번째 반응성 이온 식각을 수행하는 단계;

상기 디바이스실리콘층의 미러판 패턴 부분에 산화막/질화막을 제거한 후, 두 번째 반응성 이온 식각으로 미러판 및 비틀림 빔의 두께를 결정하는 단계;

상기 핸들실리콘층에 고정 콤 및 전극을 형성하도록 세 번째 반응성 이온 식각을 수행하는 단계;

제14항에 있어서,

SOI 웨이퍼의 디바이스실리콘층 및 핸들실리콘층에 질화막/마스크산화막을 형성하는 단계;

상기 디바이스실리콘층에 이동 콤의 미러 모양을 패터닝한 후 상기 산화막/질화막을 식각하는 단계;

상기 핸들실리콘층에 고정 콤을 패터닝하고 산화막/질화막을 식각하는 단계;

상기 디바이스실리콘층에 이동 콤의 콤-핑거를 패터닝하고 상기 디바이스실리콘층을 식각하되, 식각 후 디바이스실리콘층이 남아있도록 첫 번째 반응성 이온 식각을 수행하는 단계;

상기 디바이스실리콘층의 포토리지스트를 제거하고 두 번째 반응성 이온 식각으로 미러판 및 비틀림 빔의 두께를 결정하는 단계;

상기 핸들실리콘층에 고정 콤 및 전극을 형성하도록 세 번째 반응성 이온 식각을 수행하는 단계;

상기 구조물 전체를 보호막 처리한 후, 산화막/질화막을 식각하는 단계;