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쌍극자 분극 방향 변화에 의한 스핀 양자상태 조절구조 및그 방법

  • 기술번호 : KST2015160585
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스핀트로닉스의 중요한 과제인 스핀상태를 조절하는 방법 및 그 구조에 관한 것으로 보다 상세하게는 희박자성반도체 (diluted magnetic semiconductor: DMS)와 강유전화합물반도체 (ferroelectric compound semiconductor: FES)로 이루어진 혼성이중양자디스크 구조 (hybrid double quantum disk: HDQD) 에서 바이어스의 변화를 주지 않고 단지 강유전반도체의 쌍극자 분극의 방향을 조절함으로써 이중 디스크 내에 있는 전하의 스핀-업, 스핀-다운 상태의 분포를 조절하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 희박자성반도체의 매우 큰 제만 스플리팅(Giant Zeeman splitting) 성질과 파울리 배타원리 (exclusion principle) 및 강유전화합물반도체의 분극 성질을 조화롭게 이용함으로써 혼성이중양자디스크 구조에서 스핀-업(spin-up)상태와 스핀-다운(spin-down) 상태를 합하거나 분리하는 것이 가능하다이 구조의 스핀완화시간은 마이크로초 정도이므로 이 정도의 시간동안은 스핀의 상태가 잘 정의되므로 오늘날의 기가헤르츠 (gigahertz) 클럭 빠르기의 마이크로프로세서 내에서 응용이 가능하다.혼성이중양자디스크구조, 스핀조절디바이스, 희박자성반도체, 강유전화합물반도체, 쌍극자
Int. CL H01F 10/32 (2006.01) G11B 7/26 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070097733 (2007.09.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-1408526-0000 (2014.06.10)
공개번호/일자 10-2009-0032462 (2009.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희상 대한민국 서울 영등포구
2 김남미 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문혜정 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)
2 김학제 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698894-50
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0144655-55
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2007.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0771247-87
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0806981-81
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0890782-05
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0891629-06
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0014529-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0750212-15
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033223-32
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0690120-19
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1100464-59
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1100482-71
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0160152-62
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0225022-46
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0225014-81
19 등록결정서
Decision to grant
2014.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0320686-39
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
반도체로 생장되는 나노막대 또는 나노와이어 내에 희박자성반도체(DMS) 디스크를 상단에 삽입하고, 강유전화합물반도체(FES) 디스크를 하단에 삽입하되, 상기 희박자성반도체(DMS) 디스크와 강유전화합물반도체(FES) 디스크 사이에는 간격을 형성하는 혼성이중양자디스크 구조로 구성되는 쌍극자 분극 방향 변화에 의한 스핀 양자상태 조절구조
2 2
제 1항에 있어서,상기 희박자성반도체(DMS) 디스크와 강유전화합물반도체(FES) 디스크는 P형 또는 N형 중 어느 하나임을 특징으로 하는 쌍극자 분극 방향 변화에 의한 스핀 양자상태 조절구조
3 3
제 1항에 있어서,상기 나노막대 또는 나노와이어, 희박자성반도체(DMS) 디스크와 강유전화합물반도체(FES) 디스크는 III-V족 또는 II-VI족 화합물 반도체 중 어느 하나임을 특징으로 하는 쌍극자 분극 방향 변화에 의한 스핀 양자상태 조절구조
4 4
제 1항에 있어서,상기 강유전화합물반도체(FES)와 반도체로 생장되는 나노막대 또는 나노와이 간의 양쪽 이접합면에서 면전하밀도의 차로 인해 유도되는, 차등한 정전 전위를 가짐을 특징으로 하는 쌍극자 분극 방향 변화에 의한 스핀 양자상태 조절구조
5 5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 의한 조절구조에 의하여,고정된 바이어스 전압에서 강유전반도체(FES)의 쌍극자(dipole)의 방향을 바꾸는 경우, 상기 강유전반도체(FES)의 스핀-업 상태가 희박자성반도체(DMS)로 천이되, 상기 쌍극자(dipole) 방향을 원위치 시키는 경우 다시 강유전반도체(FES) 디스크로 합해 짐을 특징으로 하는 쌍극자 분극 방향 변화에 의한 스핀 양자상태 조절방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08048684 US 미국 FAMILY
2 US20090085026 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009085026 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8048684 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력재단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노바이오 시스템 및 응용 소재