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기판 상의 산화물 비드 패턴을 형성하고자 하는 위치에 선택적인 결합력을 갖는 제1결합제 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판과의 결합력보다 상기 제1결합제와의 결합력이 더 큰 제2결합제를 상기 산화물 비드에 코팅하는 단계;
상기 제2결합제가 코팅된 산화물 비드를 상기 기판 상에 도포하여, 상기 제2결합제가 코팅된 산화물 비드를 상기 제1결합제 패턴 상에 형성하는 단계;
상기 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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기판 상의 산화물 비드 패턴을 형성하고자 하는 위치를 제외한 영역에 선택적인 결합력을 갖는 제1결합제 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판과의 결합력보다 상기 제1결합제와의 결합력이 더 작은 제2결합제를 상기 산화물 비드에 코팅하는 단계;
상기 제2결합제가 코팅된 산화물 비드를 상기 기판 상에 도포하여, 상기 기판의 표면이 노출되어 있는 영역 상에 상기 제2결합제가 코팅된 산화물 비드를 형성하는 단계;
상기 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판은 사파이어, 리튬 알루미늄 산화물 및 마그네슘 산화물 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 산화물 비드의 굴절률은 1
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8
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 산화물 비드는 SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2, CuO, Cu2O, Ta2O5, PZT(Pb(Zr,Ti)O3), Nb2O5, Fe3O4, Fe2O3 및 GeO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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9
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 산화물 비드는 구형인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 산화물 비드의 직경은 0
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11
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판을 열처리하는 단계는 500 내지 1400℃의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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12
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1결합제 패턴을 형성하는 단계는,
포토 리쏘그라피 공정 및 나노 임프린트 공정 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 산화물 비드는 구형이고, 상기 제1결합제 패턴의 상기 기판으로부터의 높이는 상기 산화물 비드의 반경보다 작은 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기판 제조방법
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