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다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015160994
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 활성층 및 전극층을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 기판 및 상기 반도체층 사이에 요철 구조로 형성된 제 1패턴; 및 상기 제 1패턴의 요철 구조 상에 형성된 요철 구조의 제 2패턴;을 포함하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자를 제공하여 광 추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060043477 (2006.05.15)
출원인 삼성전기주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0780233-0000 (2007.11.21)
공개번호/일자 10-2007-0110688 (2007.11.20) 문서열기
공고번호/일자 (20071127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정욱 대한민국 경기 성남시 분당구
2 임진서 대한민국 서울 송파구
3 민복기 대한민국 경기 수원시 영통구
4 백광현 대한민국 경기 수원시 영통구
5 전헌수 대한민국 경기 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0337428-41
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0076974-41
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0446127-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5062967-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0297426-14
6 대리인변경신고서
Agent change Notification
2007.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0426996-52
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0551428-40
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0551427-05
9 등록결정서
Decision to grant
2007.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0608234-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
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번호 청구항
1 1
기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 활성층 및 전극층을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 기판 및 상기 반도체층 사이에 요철 구조로 형성된 제 1패턴; 및 상기 제 1패턴의 요철 구조 상에 형성된 요철 구조의 제 2패턴;을 포함하고, 상기 제 2패턴은 상기 제 1패턴의 요철구조의 돌출부 또는 홈 부위에 투광성 물질을 나노 패턴 구조로 형성시킨 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 요철 구조는 각이 진 요철과 곡면형 요철 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 Si를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 투광성 물질은 SiO2 또는 SiNx인 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
7 7
제 1항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 제 1반도체층;상기 제 1반도체층의 제 1영역 상에 순차적으로 형성된 활성층, 제 2반도체층 및 제 1전극층; 및상기 제 1반도체층의 제 2영역 상에 형성된 제 2전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 제 1패턴의 요철구조의 돌출부는 곡면형 돌출부인 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 Si를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
10 10
삭제
11 11
제 8항에 있어서,상기 투광성 물질은 SiO2 또는 SiNx인 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
12 12
제 8항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 제 1반도체층;상기 제 1반도체층의 제 1영역 상에 순차적으로 형성된 활성층, 제 2반도체층 및 제 1전극층; 및상기 제 1반도체층의 제 2영역 상에 형성된 제 2전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01858090 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01858090 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01858090 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05206923 JP 일본 FAMILY
5 JP19311784 JP 일본 FAMILY
6 US08013354 US 미국 FAMILY
7 US20070262330 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1858090 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1858090 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP1858090 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2007311784 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5206923 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2007262330 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8013354 US 미국 DOCDBFAMILY
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