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바이오 칩에서 발생되는 형광 빛의 세기를 측정하는CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015161027
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 바이오 칩에서 발생되는 형광 빛의 파장을 측정하는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 측정 방법은 바이오 칩에서 발생되는 활성 빛의 영향을 제거하고 형광 빛의 세기를 측정하기 위하여, 깊이가 다른 포토 다이오드를 이용한 픽셀(pixel) 구조를 가지는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법에 있어서, (a)CDS(Correlated Double Sampling)를 이용하여 소정의 피(P) 정션 전압과 엔(N) 정션 전압을 구하는 단계, (b)다양한 파장에 대하여 상기 엔 정션 전압의 레벨에서 상기 피 정션 전압의 전압 레벨을 M(실수)배 한 값을 감산한 값을 구하는 단계, (c)상기 (b) 단계에서 구한 값들을 이용하여 파장에 대한 전압 레벨의 파형을 구하는 단계 및 (d)상기 (c) 단계에서 구해진 파형을 이용하여, 활성 빛의 파장에 대응되는 전압 레벨이 0인 파형에서, 형광 빛의 파장에 대응되는 전압 레벨을 구하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따른 바이오 칩에서 발생되는 형광 빛의 파장을 측정하는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법은 약한 형광 빛을 쉽게 측정할 수 있는 장점이 있고, 본 방법을 사용하는 측정 칩은 종래의 고가의 측정 장비를 저가의 측정 칩으로 대체할 수 있는 장점이 있다. 나아가, 현재 연구 개발되고 있는 바이오 칩의 결과를 개인이 쉽게 알 수 있으므로 바이오 칩의 보급을 증가시키는 효과도 있다.
Int. CL H01L 27/146 (2011.01) H04N 5/335 (2011.01) G01N 33/493 (2011.01)
CPC G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01)
출원번호/일자 1020020071964 (2002.11.19)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0529477-0000 (2005.11.11)
공개번호/일자 10-2004-0043723 (2004.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20051122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 국윤재 대한민국 서울특별시강남구
2 박영준 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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1 박영준 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0381366-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2004-0056590-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0452808-85
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-5190169-21
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2005.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0049905-51
7 의견서
Written Opinion
2005.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0049904-16
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2005.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0243708-16
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.07.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0396794-18
10 의견서
Written Opinion
2005.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0396792-27
11 등록결정서
Decision to grant
2005.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0428074-06
12 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2005.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-5134914-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
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바이오 칩에서 발생되는 활성 빛의 파장을 제거하고 형광 빛의 파장을 측정하기 위하여, 깊이가 다른 포토다이오드를 이용한 픽셀(pixel) 구조를 가지는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법에 있어서, (a)CDS(Correlated Double Sampling)를 이용하여 소정의 피(P) 정션 전압과 엔(N) 정션 전압을 구하는 단계 ; (b)다양한 파장에 대하여 상기 엔 정션 전압의 레벨에서 상기 피 정션 전압의 전압 레벨을 M(실수)배 한 값을 감산한 값을 구하는 단계 ; (c)상기 (b) 단계에서 구한 값들을 이용하여 파장에 대한 전압 레벨의 파형을 구하는 단계 ; 및 (d)상기 (c) 단계에서 구해진 파형을 이용하여, 활성 빛의 파장에 대응되는 전압 레벨이 0인 파형에서, 형광 빛의 파장에 대응되는 전압 레벨을 구하는 단계를 구비하고, 상기 깊이가 다른 포토 다이오드를 이용한 픽셀 구조는, 두 개의 정션을 가지는 일반적인 n-웰(well) 구조에서 깊이가 다른 두 개의 포토 다이오드를 형성한 구조이며, 상기 (a) 단계는, (a1) 픽셀을 리셋 시킬 때의 리셋 피 정션 전압과 리셋 엔 정션 전압을 구하는 단계 ; (a2) 픽셀 리셋 후 일정한 시간이 흐른 뒤에 시그널 피 정션 전압과 시그널 엔 정션 전압을 구하는 단계 ; 및 (a3) 상기 리셋 피 정션 전압과 상기 시그널 피 정션 전압의 레벨 차이를 상기 피 정션 전압으로서 구하고, 상기 리셋 엔 정션 전압과 상기 시그널 엔 정션 전압의 레벨 차이를 상기 엔 정션 전압으로서 구하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 깊이가 다른 포토다이오드를 이용한 픽셀(pixel) 구조를 가지는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법
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제 1항에 있어서, 상기 피 정션 전압은,깊이가 다른 두 개의 포토다이오드를 형성한 구조에서 p+와 n-well 정션에 발생되는 전압으로서, 활성 빛에 의하여 발생된 전압과 형광 빛에 의하여 발생된 전압의 합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 깊이가 다른 포토다이오드를 이용한 픽셀(pixel) 구조를 가지는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법
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제 1항에 있어서, 상기 엔 정션 전압은,트리플 웰 구조에서 n-well과 p-서브스트레이트(substrate) 정션에 발생되는 전압으로서, 활성 빛에 의하여 발생된 전압과 형광 빛에 의하여 발생된 전압의 합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 깊이가 다른 포토다이오드를 이용한 픽셀(pixel) 구조를 가지는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법
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