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리튬 설페이트 분말을 200~500℃에서 3~6시간동안 1차 열처리한 후, 550~700℃에서 5~24시간동안 2차 열처리하는 단계(a); 상기 단계(a)의 열처리 후, 0
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제1항에 있어서, 상기 단계(a)의 리튬 설페이트 분말은 ① 리튬 탄산(Li2CO3), 리튬 포스페이트(Li3PO4), 및 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 아연(Zn)으로 구성된 염; ② 산화알루미늄(Al2O3), 산화아연(ZrO2), 바륨티타네이트(BaTiO3)로 구성된 비전도성 산화물; ③ 요오드화리튬(LiI), 염화리튬(LiCl), 브롬화리튬(LiBr)으로 구성된 리튬 할로겐 화합물;로 구성된 그룹 중에 선택된 1이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 설페이트계 고체 전해질용 타겟 제조 방법
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리튬 설페이트 분말을 200~500℃에서 3~6시간동안 1차 열처리한 후, 550~700℃에서 5~24시간동안 2차 열처리하는 단계(a); 상기 단계(a)의 열처리 후, 0
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제3항에 있어서, 상기 단계(a)의 리튬 설페이트 분말은 ① 리튬 탄산(Li2CO3), 리튬 포스페이트(Li3PO4), 및 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 아연(Zn)으로 구성된 염; ② 산화알루미늄(Al2O3), 산화아연(ZrO2), 바륨티타네이트(BaTiO3)로 구성된 비전도성 산화물; ③ 요오드화리튬(LiI), 염화리튬(LiCl), 브롬화리튬(LiBr)으로 구성된 리튬 할로겐 화합물;로 구성된 그룹 중에 선택된 1이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 단계(d)의 박막 증착은 5~10x10-3 Torr의 작업 가스 분위기에서 50~150 W의 고주파 파워로 1 ~ 2 시간 전스퍼터링한 후, 5~10x10-3 Torr의 작업 가스 분위기에서 50~150W의 고주파 파워로 스퍼터링하여 리튬 설페이트계 고체 전해질 박막을 증착시키는 것임을 특징으로 하는 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질의 제조 방법
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제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 단계(d)의 박막 증착시 타겟과 기판 간 거리는 4 ~ 10 cm로 조절하는 것을 특징으로 하는 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질의 제조 방법
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제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 단계(d)의 박막은 2㎛ 이하로 증착시키는 것을 특징으로 하는 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질의 제조 방법
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제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 단계(d)의 박막 증착시 작업 가스는 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2), 및 암모니아(NH3)로 구성된 그룹으로부터 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 단계(d)의 박막 증착시 리튬 설페이트 분말로 이루어진 타겟과 청구항 4의 ①, ②, ③으로 구성된 그룹 중에 선택된 1이상의 화합물을 더 포함한 리튬 설페이트계 분말로 이루어진 타겟을 각각의 스퍼터링 캐소드에 장착하여 동시에 증착시키는 것을 특징으로 하는 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질의 제조 방법
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10
제3항에 있어서, 상기 단계(d)의 박막 증착시 청구항 4의 ①, ②, ③으로 구성된 그룹 중에 선택된 1이상의 화합물이 고립(island) 형태로 리튬 설페이트 박막 내에 존재하는 적층 구조가 되도록 증착시키는 것을 특징으로 하는 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질의 제조 방법
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제3항 내지 제10에 기재된 방법에 따라 제조된 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질
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제3항 내지 제10에 기재된 방법에 따라 제조된 비정질 리튬 설페이트계 고체 전해질
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