| 1 |
1
양극;가교제를 포함하는 고분자층; 및음극을 포함하며, 상기 가교제는 다음 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, [화학식 1]N3-R-N3 (이때, 상기 R은 1 내지 30의 탄소수를 갖는다), 상기 고분자층은 분자내 반응에 의해 고리가 생성되는 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 고분자층은 플루오렌(fluorene)계 고분자를 포함하는 전기발광소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 고분자층은 트리페닐아민계 고분자를 포함하는 전기발광소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 고분자층은 카바졸계 고분자를 포함하는 전기발광소자
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 고분자층은 정공주입층인 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 고분자층은 정공수송층인 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 고분자층은 발광층인 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 고분자층은 전자수송층인 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 고분자층은 전자주입층인 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 고분자층은 광조사에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 양극은 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 15 |
15
양극을 형성하는 공정;가교제를 포함하는 고분자층을 형성하는 공정; 및상기 고분자층에 음극을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 가교제는 다음 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, [화학식 1]N3-R-N3 (이때, 상기 R은 1 내지 30의 탄소수를 갖는다), 상기 고분자층은 분자내 반응에 의해 고리가 생성되는 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 고분자층은 플루오렌(fluorene)계, 트리페닐아민계 또는 카바졸계 고분자를 포함하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제15항에 있어서,상기 고분자층을 형성하는 공정은 광조사에 의해 경화되는 공정을 포함하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 경화되는 공정은 자외선 조사를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
제18항에 있어서,상기 고분자층이 경화되는 공정은 포토마스크를 통해 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 22 |
22
제15항에 있어서,상기 고분자층을 형성하는 공정은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나를 형성하는 공정을 포함하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 23 |
23
제22항에 있어서,상기 발광층은 톨루엔, 자일렌, o-자일렌, m-자일렌, 아니솔, 1,2,4-트리메틸벤젠(1,2,4-trimethylbenzene) 또는 메틸벤조에이트(methylbenzoate)의 유기용매에 용해되는 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 24 |
24
제22항에 있어서,상기 정공주입층 및 정공수송층은 톨루엔, 자일렌, o-자일렌, m-자일렌, 아니솔, 1,2,4-트리메틸벤젠(1,2,4-trimethylbenzene) 또는 메틸벤조에이트(methylbenzoate)의 유기용매에 용해되는 않는 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 25 |
25
제22항에 있어서,상기 발광층을 형성하는 공정은 습식 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조방법
|
| 26 |
26
제22항에 있어서,상기 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자수송층을 형성하는 공정은 진공증착법, 스핀 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 스프레이 프린팅법, 유기 증기 젯 프린팅법, 유기 증기상 증착법, 캐스트법, 또는 LB법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조방법
|
