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광지시형 전위차센서의 실리콘질화막 표면의 전처리 및생체활성 물질의 고정화방법

  • 기술번호 : KST2015162695
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘질화막(Si3N4)/산화규소(SiO2)/실리콘(Si) 구조를 가지는 광지시형 전위차센서(light addressable potentiometric sensor)의 실리콘질화막의 표면 전처리 공정 기술을 개발하고 인지하려는 생체활성 물질을 고정화하는 기술에 관한 것이다. 실리콘질화막의 표면 전처리 공정은 고정화 하려는 생체물질을 최적의 표면농도를 가지며 높은 화학적 안정성 및 재현성을 제공하기 위한 표면 전처리 공정기술을 특징으로 하며 인지하려는 생체활성 물질을 고체표면에 고정화하기 위하여 자기조립 단분자막(SAM : self-assembled monolayer)제조법을 이용한 접속 인자층 제조법 개발과 고정화된 생체물질이 고유의 생물학적 활성을 유지하면서 특정생체물질에 대한 인지 기능을 극대화 할 수 있도록 활성 부위가 특정 생체물질에 효율적으로 노출될 수 있는 배향 선택적 표면고정화(site specific immobilization)기술을 제공함에 그 특징이 있다. 자기조립 단분자막, 실리콘질화막, 접속 인자층, 생체활성 물질, 배향 선택적 표면고정화
Int. CL B01J 19/00 (2018.01.01)
CPC B01J 19/0046(2013.01) B01J 19/0046(2013.01) B01J 19/0046(2013.01) B01J 19/0046(2013.01) B01J 19/0046(2013.01)
출원번호/일자 1020030084759 (2003.11.24)
출원인 경북대학교 산학협력단, 김 재 호
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0050011 (2005.05.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
2 김 재 호 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강신원 대한민국 대구광역시수성구
2 김재호 대한민국 경기도성남시분당구
3 박진호 대한민국 경기도안양시만안구
4 김태일 대한민국 부산강서구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-5224590-37
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2004.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2004-5146933-21
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.07.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.08.17 수리 (Accepted) 9-1-2005-0049412-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0533370-46
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0000801-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-0014280-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
1 1
광지시형 전위차센서의 실리콘질화막 표면에 생체활성 고분자를 고정화하기 위하여 표면을 전처리하는 방법에 있어서, 상기 실리콘질화막 표면을 에탄올과 삼차증류수로 세척하고 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 강산인 피라나 용액을 90℃ 온도로 일정하게 유지한 상태에서 30분간 담그어 두는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화하기 위해 수산화나트륨 수용액 30분, 염산 수용액에서 10분, 수산화나트륨 수용액 10분간 차례로 담그어 처리하는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화한 실리콘 질화막을 염산 수용액과 삼차증류수로 세척한 후 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 상기 건조 과정에서 건조된 실리콘질화막을 질소가스로 충진된 글로브 박스에 보관하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 실리콘질화막 표면에 생체활성 물질의 고정화를 위한 표면을 전처리하는 방법
2 2
광지시형 전위차센서의 실리콘질화막 표면을 전처리하여 생체활성 물질을 고정화하는 방법에 있어서, 상기 실리콘질화막 표면을 에탄올과 삼차증류수로 세척하고 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 강산인 피라나 용액을 90℃ 온도로 일정하게 유지한 상태에서 30분간 담그어 두는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화하기 위해 수산화나트륨 수용액 30분, 염산 수용액에서 10분, 수산화나트륨 수용액 10분간 차례로 담그어 처리하는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화한 실리콘질화막을 염산 수용액과 삼차증류수로 세척한 후 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 상기 건조된 실리콘질화막을 글루타알데히드 인산완충용액에 2시간 정도 담그어 두는 단계를 포함함을 특징으로 하는 실리콘질화막 표면에 생체활성 물질을 고정하는 방법
3 3
청구항1 또는 청구항2에 있어서, 상기 실리콘질화막 표면을 에탄올과 삼차증류수로 세척하고 오븐에 넣어 건조하는 단계에서 오븐의 내부 온도는 110℃로 하고 건조시간은 30분간으로 함을 특징으로 하는 실리콘질화막 표면에 생체활성 물질 고정화를 위한 표면을 전처리 또는 실리콘질화막 표면에 생체활성 물질을 고정하는 방법
4 4
청구항1 또는 청구항2에 있어서, 강산인 피라나 용액을 90℃ 온도로 일정하게 유지한 상태에서 30분간 담그어 두는 단계에서 강산인 피라나 용액은 황산과 과산화수소의 비를 3:1 ~ 4:1으로 구성함을 특징으로 하는 실리콘질화막 표면에 생체활성 물질 고정화를 위한 표면을 전처리 또는 실리콘질화막 표면에 생체활성 물질을 고정하는 방법
5 5
청구항1 또는 청구항2에 있어서, 상기 강산인 피라나 용액을 중화하기 위해 수산화나트륨 수용액 30분, 염산 수용액에서 10분, 수산화나트륨 수용액 10분간 차례로 담그어 처리하는 단계에서 수산화나트륨 수용액의 농도는 0
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청구항1 또는 청구항2에 있어서, 상기 강산인 피라나 용액을 중화한 실리콘질화막을 염산 수용액과 삼차증류수로 세척한 후 오븐에 넣어 건조하는 단계에서는 염산 수용액의 농도는 0
7 7
청구항2에 있어서, 상기 건조된 실리콘질화막을 글루타알데히드 인산완충용액에 2시간 정도 담그어 두는 단계에서는 부피비 2
8 8
광지시형 전위차센서의 실리콘질화막 표면을 전처리하여 생체활성 물질을 고정화하는 방법에 있어서, 상기 실리콘질화막 표면을 에탄올과 삼차증류수로 세척하고 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 강산인 피라나 용액을 90℃ 온도로 일정하게 유지한 상태에서 30분간 담그어 두는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화하기 위해 수산화나트륨 수용액 30분, 염산 수용액에서 10분, 수산화나트륨 수용액 10분간 차례로 담그어 처리하는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화한 실리콘 질화막을 염산 수용액과 삼차증류수로 세척한 후 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 상기 건조된 실리콘 질화막을 글루타알데히드 인산완충용액에 2시간 정도 담그어 두는 단계와; 상기 글루타알데히드 인산완충용액에 처리된 실리콘질화기판을 NHS-d-바이오틴을 pH=8인 인산완충용액에 녹여 1 mM을 제조한 용액과 아비딘은 10 mM 염화나트륨을 포함하는 pH=7
9 8
광지시형 전위차센서의 실리콘질화막 표면을 전처리하여 생체활성 물질을 고정화하는 방법에 있어서, 상기 실리콘질화막 표면을 에탄올과 삼차증류수로 세척하고 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 강산인 피라나 용액을 90℃ 온도로 일정하게 유지한 상태에서 30분간 담그어 두는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화하기 위해 수산화나트륨 수용액 30분, 염산 수용액에서 10분, 수산화나트륨 수용액 10분간 차례로 담그어 처리하는 단계와; 상기 강산인 피라나 용액을 중화한 실리콘 질화막을 염산 수용액과 삼차증류수로 세척한 후 오븐에 넣어 건조하는 단계와; 상기 건조된 실리콘 질화막을 글루타알데히드 인산완충용액에 2시간 정도 담그어 두는 단계와; 상기 글루타알데히드 인산완충용액에 처리된 실리콘질화기판을 NHS-d-바이오틴을 pH=8인 인산완충용액에 녹여 1 mM을 제조한 용액과 아비딘은 10 mM 염화나트륨을 포함하는 pH=7
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.