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탄화규소에 내열금속카바이드를 오믹 접촉 형성시키는 방법및 이를 이용한 전력용 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015163152
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄화규소에 내열금속카바이드를 용이하게 오믹 접촉 형성시키는 방법 및 이를 이용한 전력용 반도체 소자에 관한 것으로, 탄화규소 기판 상에 탄화층을 형성하는 제1단계와; 상기 탄화층 상부에 오믹 접촉 형성이 필요한 부분에 대해 선택적으로 내열금속막을 형성하는 제2단계와; 상기 내열금속막과 탄화층의 탄소를 반응시켜 내열금속카바이드층을 형성하는 제3단계와; 상기 내열금속카바이드층을 형성하고 남아있는 탄화층을 제거하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄화규소에 내열금속카바이드를 오믹 접촉 형성시키는 방법 및 이를 이용한 전력용 반도체 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 따라 금속실리사이드의 형성이 억제되어 균일한 특성의 접촉 형성이 용이하며, 또한 내열금속카바이드를 직접 증착하지 않고 저온에서 내열금속막을 탄화층에 증착한 후 열처리함으로써 내열금속카바이드를 용이하게 형성시킬 수 있으며, 이에 의해 형성된 내열금속카바이드는 탄화규소와 고온에서도 안정적인 오믹 특성을 유지하여 고온용 탄화규소 전력용 반도체 소자의 신뢰성을 놓여주는 이점이 있다. 탄화규소 내열금속 카바이드 실리사이드 오믹 접촉 탄화 고온 반도체 소자
Int. CL H01L 29/861 (2006.01)
CPC H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01)
출원번호/일자 1020080077993 (2008.08.08)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1063914-0000 (2011.09.02)
공개번호/일자 10-2010-0019122 (2010.02.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시
3 주성재 대한민국 경상남도 창원시
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시
5 김남균 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0570570-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0231944-11
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0498645-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0599684-64
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0147166-90
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0425031-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
포토레지스터(110)를 탄화규소 기판(100) 상층에 도포하고 열처리하여 탄화층(111)을 형성시키는 제1단계와; 상기 탄화층(111) 상부에 오믹 접촉 형성이 필요한 부분에 대해 선택적으로 내열금속막(120)을 형성하는 제2단계와; 상기 내열금속막(120)과 탄화층(111)의 탄소를 반응시켜 내열금속카바이드층(121)을 형성하는 제3단계와; 상기 내열금속카바이드층(121)을 형성하고 남아있는 탄화층(111)을 제거하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄화규소에 내열금속카바이드를 오믹 접촉 형성시키는 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 열처리는 900℃ 이상에서 10분~30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 탄화규소에 내열금속카바이드를 오믹 접촉 형성시키는 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.