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염료 감응형 태양 전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015163193
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열처리 공정으로 전기 화학적 안정성을 향상시킨 탄소 나노 튜브를 상대 전극으로 사용하여 태양 전지 효율을 높인 염료 감응형 태양 전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 하부 글래스 기판상에 형성되는 하부 투명 전극과, 하부 투명 전극 상에 형성되는 다공질막 표면에 염료고분자로 구성되는 광전극층;상부 글래스 기판상에 형성되는 상부 투명 전극과, 상부 투명 전극 상에 열처리 공정으로 전기화학적 임피던스(EIS) 특성이 변화된 탄소 나노 튜브를 사용하여 형성되는 상대전극;상기 상,하부 글래스 기판 사이에 채워지는 전해질 용액;을 포함하고 구성된다. 태양 전지, 염료 감응형, CNT, 상대 전극, RTA, thermal CVD
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) C01B 31/02 (2006.01.01)
CPC H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01)
출원번호/일자 1020080013604 (2008.02.14)
출원인 인제대학교 산학협력단, 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0954171-0000 (2010.04.14)
공개번호/일자 10-2009-0088204 (2009.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20100420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 대한민국 경남 김해시 인제로 *
2 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전민현 대한민국 경남 김해시
2 황숙현 대한민국 부산 동래구
3 문준희 대한민국 부산 해운대구
4 이수경 대한민국 부산 북구
5 이동윤 대한민국 경남 마산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문춘오 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 문앤파트너특허법률사무소 (역삼동)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 김해시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0112142-03
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0028892-16
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0222569-86
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0293310-11
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0056143-33
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0429662-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0789582-02
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0035173-26
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0110742-99
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0166731-32
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0166733-23
14 등록결정서
Decision to grant
2010.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0128115-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5124408-82
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.18 수리 (Accepted) 4-1-2012-5216806-20
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2013-5175090-75
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5100061-64
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2017-5214791-60
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5082225-25
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149036-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 글래스 기판상에 형성되는 하부 투명 전극과, 하부 투명 전극 상에 형성되는 다공질막 표면에 염료고분자로 구성되는 광전극층; 상부 글래스 기판상에 형성되는 상부 투명 전극; 탄소 나노 튜브를 성장시키고 열처리 공정으로, 상기 탄소 나노 튜브의 성장 이후에 남아 있는 불순물을 제거하고 남아 있는 비정질 탄소를 열에너지에 의해 분리시켜 전기화학적 임피던스(EIS) 특성이 변화된 탄소 나노 튜브를 사용하여 상기 상부 투명 전극상에 형성되는 상대전극; 상기 상,하부 글래스 기판 사이에 채워지는 전해질 용액;을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지
2 2
하부 글래스 기판상에 형성되는 하부 투명 전극과, 하부 투명 전극 상에 형성되는 다공질막 표면에 염료고분자로 구성되는 광전극층; 상부 글래스 기판에 열처리 공정으로 탄소 나노 튜브의 성장 이후에 남아 있는 불순물을 제거하고 남아 있는 비정질 탄소를 열에너지에 의해 분리시켜 전기화학적 임피던스(EIS) 특성이 변화된 탄소 나노 튜브를 갖는 실리콘 기판이 직접 합착되는 구조로 형성되는 상대전극; 상기 상,하부 글래스 기판 사이에 채워지는 전해질 용액;을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상대 전극으로 사용되는 탄소 나노 튜브의 직경은 50nm ~ 500nm인 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상대 전극으로 사용되는 탄소 나노 튜브는 열화학 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 합성한 다중벽 탄소 나노 튜브(Multi-Walled Carbon Nanotubes;MWNTs)인 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지
5 5
반응 가스와 시간을 변화시켜 직경 크기를 제어하여 다중벽 탄소 나노 튜브의 합성 단계; 상기 다중벽 탄소 나노 튜브를 열처리하여 상기 다중벽 탄소 나노 튜브의 성장 이후에 남아 있는 불순물을 제거하고 남아 있는 비정질 탄소를 열에너지에 의해 분리시켜 전기화학적 임피던스(EIS) 특성을 변화시키는 단계; 상기 열처리된 다중벽 탄소 나노 튜브를 사용하여 상부 글래스 기판상에 상대 전극을 형성하는 단계; 하부 글래스 기판상에 하부 투명 전극을 형성하고 하부 투명 전극 상에 다공질막을 형성하고, 표면에 염료고분자로 구성되는 광전극층을 형성하는 단계; 상기 상,하부 글래스 기판 사이에 전해질 용액을 채우는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 탄소 나노 튜브의 성장시에 직경 크기가 50nm ~ 500nm가 되도록 반응 가스와 시간을 변화시키는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 탄소 나노 튜브의 성장시에, 촉매 금속으로 사용되는 Fe 박막의 증착 두께는 4nm로 하고, 반응 가스는 Ar/NH3/C2H2이고, 반응 압력은 700torr, 성장 온도는 900℃, 히팅율(Heating rate)은 30℃/min으로 하여 진행하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서, 탄소 나노 튜브의 성장시에, 반응 가스는 Ar/NH3/C2H2이고, 공급되는 C2H2 가스의 공급량은 10sccm ~ 100sccm에서 선택되는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법
9 9
제 5 항에 있어서, 전기화학적 임피던스(EIS) 특성을 변화시키기 위한 열처리 공정은, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing) 공정으로 200℃ ~ 1100℃의 온도로 1분간 진행하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상부 글래스 기판상에 상대 전극을 형성하는 단계에서, 상부 글래스 기판상에 상부 투명 전극을 형성하고, 열처리된 탄소 나노 튜브를 CMC(Carboxyl Methyl Cellulose)를 사용하여 상부 투명 전극상에 페이스트 도포하여 상대 전극을 형성하거나, 탄소 나노 튜브를 성장시킨 실리콘 기판을 직접 상부 글래스 기판에 합착하여 상대 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.