맞춤기술찾기

이전대상기술

고전압 쇼트키장벽 다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015163195
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전압 쇼트키장벽 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 고농도의 기판 위에 길러진 저농도 박막층 위에 애노드 전극의 종단에서 발생하는 높은 전계를 분산시키는 p형 가드링과 누설전류를 줄이고 서지로부터 소자를 보호할 접합장벽을 형성할 p형 그리드 및 접합종단연장 구조를 동시에 형성하기 위한 이온주입과 이온활성화 공정단계와,캐소드 전극을 형성하는 캐소드전극 형성단계와, 애노드 전극을 형성하는 에노드전극 형성단계로 거쳐 제작된다. 이와같이 접합장벽 영역과 종단구조 영역을 동시에 형성함으로써 이온주입을 위한 마스크 패턴 형성 및 마스크 제거 공정을 줄일 수 있으며, 고압을 얻기 위한 종단구조와 쇼트키 영역간의 배열이 균일하게 형성되어 소자의 신뢰성도 향상시킬 수 있다. 쇼트키 다이오드, 접합장벽 쇼트키, 이온주입, 종단구조
Int. CL H01L 21/265 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080039693 (2008.04.29)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0113964 (2009.11.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.29)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경상남도 진주시
2 김남균 대한민국 경상남도 창원시
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시
4 방욱 대한민국 경상남도 창원시
5 주성재 대한민국 경상남도 창원시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남정 대한민국 대전광역시 서구 월평북로 **, ****호 케이맥스특허법률사무소 (월평동, 만년오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0307186-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.03.24 수리 (Accepted) 9-1-2010-0018979-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0134494-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0327767-52
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0329345-45
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0410326-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
농도의 기판(210) 위에 길러진 저농도 박막층(220) 위에 애노드 전극(250)의 종단에서 발생하는 높은 전계를 분산시키는 p형 가드링과 누설전류를 줄이고 서지로부터 소자를 보호할 접합장벽을 형성할 p형 그리드 및 접합종단연장 구조를 동시에 형성하기 위한 이온주입과 이온활성화 공정단계와, 누설전류를 줄이고 서지로부터 소자를 보호할 접합장벽 영역을 형성할 p형 그리드(240)를 형성하는 그리드 형성단계와, 캐소드 전극(200)을 형성하는 캐소드전극 형성단계와, 애노드 전극(250)을 형성하는 에노드 전극 형성단계를 거쳐 만들어진다
2 2
제1항에 있어서, p형 그리드 및 p형 가드링의 농도는 5E17 cm-3 이상 5E20 cm-3 이하이며, 바람직하게는 5E18~5E19 cm-3인 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키장벽 다이오드의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, p형 가드링의 간격이 1~3um인 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키장벽 다이오드의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, p형 접합종단연장 구조의 폭이 10~20um인 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키장벽 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.