맞춤기술찾기

이전대상기술

게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서

  • 기술번호 : KST2015163239
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 서모파일형 열전센서에 관한 것으로서, 기판 및 기판 상면에 기판 및 기판 상면에 형성된 박막형 서모파일을 포함하여 이루어진 서모파일형 열전센서에 있어서, 상기 서모파일은 게르마늄(Ge)을 포함하는 일군의 반도체 열전대로 이루어진 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 게르마늄(Ge)을 포함하는 일군의 반도체 열전대를 이루는 서모파일은 큰 제백계수, 낮은 열전도도, 낮은 저항을 갖는 열전재료로써 매우 우수한 물성을 가지는 것을 알 수 있으며, 이에 의해 고감도의 노이즈가 낮은 서모파일형 열전센서를 제공할 수 있는 이점이 있다. 서모파일 열전센서 열전재료 게르마늄 반도체
Int. CL G01K 7/02 (2006.01) G01K 7/00 (2006.01)
CPC G01K 7/02(2013.01) G01K 7/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080089635 (2008.09.11)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1072290-0000 (2011.10.05)
공개번호/일자 10-2010-0030762 (2010.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20111011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.11)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오민욱 대한민국 경상남도 창원시 가음정동
2 이희웅 대한민국 경상남도 창원시
3 김봉서 대한민국 경상남도 창원시
4 박수동 대한민국 경상남도 창원시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0644108-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.07.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0046215-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0379137-18
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0709738-98
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0788263-98
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0875469-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0076353-88
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0076342-86
12 등록결정서
Decision to grant
2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0490890-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 및 기판 상면에 형성된 박막형 서모파일을 포함하여 이루어진 서모파일형 열전센서에 있어서, 상기 서모파일은 게르마늄(Ge)을 포함하는 일군의 반도체 열전대로 이루어지되, 상기 열전대는, 게르마늄(Ge)에 갈륨(Ga)이 도핑된 p형 반도체와 게르마늄(Ge)에 아세닉(As)이 도핑된 n형 반도체의 접합으로 이루어지거나, 게르마늄(Ge)에 갈륨(Ga)이 도핑된 p형 반도체와 게르마늄(Ge)에 안티몬(Sb)이 도핑된 n형 반도체의 접합으로 이루어지거나, 또는 MnGeP2로 이루어진 p형 반도체와 MnGeAs2로 이루어진 n형 반도체의 접합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 게르마늄(Ge)에 도핑된 갈륨(Ga)은 게르마늄(Ge)에 대해 5~15% 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 게르마늄(Ge)에 도핑된 아세닉(As)은 게르마늄(Ge)에 대해 5~15% 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 게르마늄(Ge)에 도핑된 안티몬(Sb)은 게르마늄(Ge)에 대해 5~15% 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서
8 8
삭제
9 9
제 1항에 있어서, 상기 열전대 상층에는 절연층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서
10 10
제 9항에 있어서, 상기 절연층은 갈륨아세나이드층 또는 아세나이드층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서
11 11
제 1항, 제3항, 제4항, 제7항, 제9항, 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘 웨이퍼 또는 갈륨아세나이드 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 게르마늄계 열전재료를 이용한 서모파일형 열전센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.