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실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015163244
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서 제시하는 방법은 실리콘 카바이드를 비롯한 고성능 화합물반도체 소자 제작에 필수적인 낮은 저항의 전극을 용이하게 형성하기 위한 것이며, 전극들이 동일 평면상에 존재하지 않고 단차가 존재할 때 특히 유용하다. 본 발명의 특징은 스페이서 공정을 최대한 활용하여 자기정렬(self alignment) 방식으로 메사 상부전극 및 하부전극을 형성하기 때문에, 전극형성에 필요한 최대 4회의 포토공정을 생략할 수 있으며, 전극의 접촉면적 극대화로 접촉비저항도 낮아지게 되어, 제작 단가의 절감 및 공정이 단순화에 따른 비용 절감을 가져오게 된다. 실리콘 카바이드 자기정렬 금속막 전극 메사구조
Int. CL H01L 21/283 (2006.01)
CPC H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01)
출원번호/일자 1020080121809 (2008.12.03)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0063336 (2010.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.03)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주성재 대한민국 경상남도 창원시
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시
3 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시
5 김남균 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0833957-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058259-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0431186-44
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0781315-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0781331-97
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0175188-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 카바이드 반도체 소자의 전극이 동일 평면상에 있지 않고, 요철(또는 메사구조물)의 상부와 하부에 각각 전극이 형성되어야 하는 구조를 가지는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작방법에 있어서, 절연막의 전면 형성과 비등방성 식각공정을 조합하여 요철(또는 메사구조물)의 측면에 스페이서 절연막을 형성하고, 소정의 금속막을 전면에 형성한 후 열처리 공정을 거쳐 실리콘 카바이드를 비롯한 반도체물질이 노출된 요철(또는 메사구조물)의 상부와 하부에 동시에 전극을 형성하고, 이후 습식식각 또는 건식식각 공정을 이용하여 상기 스페이서 절연막 위에 남아있는 금속막을 선택적으로 제거함을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체 소자는 접합전계효과 트랜지스터(Junction Field Effect Transistor : JFET)임을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체 소자는 금속-절연막 전계효과 트랜지스터(Metal-Insulator Field Effect Transistor : MISFET)임을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체 소자는 정전유도 트랜지스터(Static Induction Transistor : SIT)임을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체 소자는 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor : BJT)임을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작 방법
6 6
제 1항에 있어서, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 크롬, 플래티늄, 탄탈륨, 코발트, 알루미늄 중 어느 하나 및 둘 이상의 조합을 전극형성을 위한 금속막으로 사용함을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 반도체 소자의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.