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제1 및 제2 초전도 선재들; 및
상기 제1 및 제2 초전도 선재들 사이에 배치된 에피택시얼 성장층을 포함하되,
상기 에피택시얼 성장층은 초전도 물질을 포함하고,
상기 에피택시얼 성장층은 상기 제1 및 제2 초전도 선재들과 접촉하는 초전도 선재
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제 1 항에 있어서,
상기 에피택시얼 성장층은 희토류 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질, 바륨, 구리 및 산화물을 포함하는 초전도 선재
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제 2 항에 있어서,
상기 희토류 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질은 이트늄을 포함하는 초전도 선재
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제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 초전도 선재들 각각은
금속 기판; 및
상기 금속 기판 상의 초전도층을 포함하는 초전도 선재
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제 4 항에 있어서,
상기 에피택시얼 성장층은 상기 제1 및 제2 초전도 선재들의 초전도층들 사이에 개재되며, 상기 초전도층들과 접촉하는 초전도 선재
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제 4 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 초전도 선재들 각각은
상기 초전도층 상에 배치된 안정층을 더 포함하되,
상기 안정층은 상기 에피택시얼 성장층이 형성된 상기 금속 기판의 영역 이외의 영역에 배치된 초전도 선재
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제1 초전도 선재 상에 초전도 입자들을 개재하여 제2 초전도 선재를 위치시키는 것; 및
상기 제1 및 제2 초전도 선재들을 접합시키는 것을 포함하되,
상기 제1 및 제2 초전도 선재들을 접합시키는 것은 상기 초전도 입자들을 열처리하여 에피택시얼 성장층을 형성하는 것을 포함하는 초전도선재 접합 방법
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제 7 항에 있어서,
상기 에피택시얼 성장층이 형성될 상기 제1 및 제2 초전도 선재들의 영역 이외의 영역에 안정층을 형성시키는 것을 더 포함하는 초전도 선재 접합 방법
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