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실리콘 기판(103)을 마이크로 패터닝하여 규칙적으로 배열된 Si 팁을 형성하고, 상기 Si 팁 주위에는 절연막(102)을 형성하는 전계 방출 소자의 제조방법에 있어서,
상기 실리콘 기판(103)을 고온 승온 분위기에 두고, C(탄소)를 함유한 가스(201)를 주입하여 Si 팁의 상단부가 SiC(301)로 변환하여 생성되는 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 Si 팁(101) 상단부가 변환된 SiC(301)는, 그 두께가 50nm~100nm이며, Si격자와 에피탁시 관계를 가져 단결정 형태로 변환된 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, SiC(301)는 고온 승온 도중 900℃~1200℃ 영역에서 C를 함유한 가스(201)를 공급하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, SiC(301)는 고온 승온 도중 900℃~1200℃ 영역 중 특정 구간에서 온도를 유지하고 C를 함유한 가스(201)를 공급하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, C를 함유한 가스(201)와 N을 함께 주입하여 질소가 도핑되어 일함수가 낮은 SiC(301)로 변환되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법
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실리콘 기판(103)을 마이크로 패터닝하여 규칙적으로 배열되어 형성된 Si 팁(101)과, 상기 Si 팁(101) 주위에 절연 산화막이 형성된 전계 방출 소자에 있어서,
상기 실리콘 기판(103)을 고온 승온 분위기에 두고, C를 함유한 가스(201)를 주입하여 Si 팁(101)의 상단부가 SiC(301)로 변환되어 형성된 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자
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제 6항에 있어서, 상기 Si 팁(101) 상단부가 변환된 SiC(301)는, 그 두께가 50nm~100nm이며, Si 격자와 에피탁시 관계를 가져 단결정 형태로 변환된 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자
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제6항에 있어서, SiC(301)는 고온 승온 도중 900℃~1200℃ 영역에서 C를 함유한 가스(201)를 공급하여 형성된 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자
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제 6항에 있어서, SiC(301)는 고온 승온 도중 900℃~1200℃ 영역 중 특정 구간에서 온도를 유지하고 C를 함유한 가스(201)를 공급하여 형성된 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자
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제 6항 내지 제 9항 중의 어느 한 항에 있어서, C를 함유한 가스(201)와 N을 함께 주입하여 질소가 도핑되어 일함수가 낮은 SiC(301)로 변환되어 형성된 것을 특징으로 하느 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자
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