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상온에서 전자를 방출하여 X선을 발생시키는 냉음극 X선 튜브; 및
상기 냉음극 X선 튜브에 X선이 발생되도록 하는 전압 및 전류를 인가하는 고전압 발생장치를 포함하며,
상기 고전압 발생장치는, 상기 냉음극 X선 튜브 양단에 인가되는 고전압 출력치가 목표전압 대비 일정 비율 이상이 되기 전까지 상기 냉음극 X선 튜브의 게이트 전극에 기준전위 또는 음전위를 인가하여 전자방출을 방지하는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치
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제 1 항에 있어서,
상기 냉음극 X선 튜브는 탄소나노튜브(CNT; Carbon Nano Tube)를 음극으로 하는 X선 발생장치
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제 2 항에 있어서,
상기 냉음극 X선 튜브는 상기 게이트 전극은 상기 탄소나노튜브의 상면에 배치되는 W형 전극인 X선 발생장치
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제 2 항에 있어서,
상기 냉음극 X선 튜브는 상기 탄소나노튜브로부터 방출된 전자를 집속하는 집속 전극을 포함하며,
상기 고전압 발생장치는, 상기 게이트 전극에 상기 기준전위 또는 음전위가 인가되는 동안 상기 집속 전극에 양전위를 인가하여 전자가 방출되면 상기 방출된 전자를 상기 집속전극 방향으로 이동하도록 하는 X선 발생장치
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냉음극에 전압을 인가하여 전자가 방출되도록 하는 제 1 단계;
상기 냉음극으로의 인가전압이 상승하면서 목표 전압 대비 일정 비율 이상의 전압이 인가되면 게이트 전극에 양전위를 인가하여 상기 냉음극으로부터 전자가 방출되도록 하는 제 2 단계
를 포함하며, 상기 제 1 단계는 상기 목표 전압 대비 일정 비율 이상의 전압이 되기 전까지, 상기 게이트 전극에 기준전위 또는 음전위를 인가하여 상기 냉음극으로부터 전자가 방출되는 것을 방지하는 X선 발생방법
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제 5 항에 있어서,
상기 제 1 단계는, 상기 게이트 전극에 상기 기준전위 또는 음전위를 인가하는 동안 집속전극에 양전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 X선 발생방법
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제 5 항에 있어서,
상기 제 2 단계는 상기 게이트 전극에 양전위가 인가되는 동안, 상기 집속전극에 기준전위 또는 음전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 X선 발생방법
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제 5 항에 있어서,
상기 제 2 단계는, 상기 게이트 전극에 양전위가 인가되는 동안, 윈도우를 오픈시켜 타겟과의 충돌에 의해 생성된 X선이 외부의 피검체에 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 X선 발생방법
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