| 1 |
1
전기적으로 절연되며, 플라즈마가 채워지는 진공 챔버(10);
가공물(11)이 놓여지는 부분으로서, 진공 챔버(10)의 내부에 설치되어 가공물(11)과 함께 회전가능한 받침대(12);
상기 가공물(11) 및 받침대(12)의 회전을 위한 회전장치(13);
적어도 한 면 이상에 가공물 표면을 따라 배치되는 슬롯(14)이 구비되고, 전도성을 가지면서 가공물(11)을 둘러싸서 가공물(11)을 플라즈마로부터 분리시키며, 전기적으로 가공물(11)과 연결되는 덮개(15);
상기 가공물(11)과 덮개(15)에 전원을 공급하는 전원 공급원(16);
을 포함하며,
상기 가공물과 덮개에 플라즈마 전위에 비해 상대적으로 음의 값을 갖는 바이어스가 제공되어, 플라즈마로부터 나온 이온은 덮개 주변에 형성된 쉬스층 내부로 가속되면서 슬롯을 통해 덮개와 가공물 사이의 간격 내부로 이끌리게 되고, 이렇게 이끌린 이온이 상기 회전장치에 의해 회전하고 있는 가공물에 충돌하게 되므로서, 가공물의 표면을 연마할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 가공물(11)은 원통형 가공물 또는 평판형 가공물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 3 |
3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 가공물(11)은 덮개(15)에 대해 상대적으로 일정각도 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서, 상기 덮개(15)의 슬롯(14)은 충돌하는 이온이 가공물의 표면에 스치듯이 입사할 수 있도록 하기 위하여 사각단면의 덮개인 경우 4개의 면에 각각 2개씩 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 덮개(15)는 사각단면의 덮개로 이루어지고, 슬롯(14)이 사각단면의 각 면에 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 덮개(15)는 서로 소정의 갭을 유지하는 내측의 인너 덮개(15a)와 외측의 아웃터 덮개(15b)로 구성되고, 내측의 전도성 인너 덮개(15a)는 가공물(11)과 연결되며, 아웃터 덮개(15b)는 플로팅 또는 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공장치
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 바이어스는 RF 자기 바이어스, 단극 반복 펄스 바이어스, 이극 반복 펄스 바이어스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서, 상기 플라즈마는 내부 안테나를 갖는 ICP 소스, 불활성 가스, 반응성 가스 중 어느 하나에 의해 만들어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서, 상기 받침대(12) 및 회전장치(13)와 덮개(15)는 2세트가 구비되어, 하나의 진공 챔버(10) 내에 나란히 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 10 |
10
전기적으로 절연되며, 플라즈마가 채워지는 진공 챔버(10);
가공물(11)이 놓여지는 부분으로서, 진공 챔버(10)의 내부에 설치되는 받침대(12);
적어도 한 면 이상에 가공물 표면을 따라 배치되는 슬롯(14)이 구비되고, 전도성을 가지면서 가공물(11)을 둘러싸서 가공물(11)을 플라즈마로부터 분리시키며, 전기적으로 가공물(11)과 연결되는 동시에 회전가능한 덮개(15) 및 이 덮개(15)의 회전을 위한 회전장치(13);
상기 가공물(11)과 덮개(15)에 전원을 공급하는 전원 공급원(16);
을 포함하며,
상기 가공물과 덮개에 플라즈마 전위에 비해 상대적으로 음의 값을 갖는 바이어스가 제공되어, 플라즈마로부터 나온 이온은 덮개 주변에 형성된 쉬스층 내부로 가속되면서 슬롯을 통해 덮개와 가공물 사이의 간격 내부로 이끌리게 되고, 이렇게 이끌린 이온이 상기 회전장치에 의해 회전하고 있는 가공물에 충돌하게 되므로서, 가공물의 표면을 연마할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치
|
| 11 |
11
전기적으로 절연된 챔버 내부에 가공물을 배치하되, 챔버와 전기적으로 절연되고 회전이 가능한 받침대 위에 배치하는 단계;
가공물과 전기적으로 연결되어 슬롯을 갖는 덮개로 가공물 주변을 덮는 단계;
상기 챔버의 내부에 플라즈마를 제공하는 단계;
상기 가공물과 덮개에 음의 바이어스를 부가하고, 상기 가공물을 회전시키는 단계;
상기 덮개 주변에 형성된 쉬스층 내부로 가속된 이온이 상기 슬롯을 통해 덮개와 가공물 사의 간격 내부로 이끌리면서 그 내부의 가공물에 충돌하게 되므로서, 가공물의 표면을 가공하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서, 상기 덮개(15)는 서로 소정의 갭을 유지하는 내측의 인너 덮개(15a)와 외측의 아웃터 덮개(15b)로 구성되고, 내측의 전도성 인너 덮개(15a)는 가공물(11)과 연결되며, 아웃터 덮개(15b)는 플로팅 또는 접지되는 형태의 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 방법
|
| 13 |
13
청구항 11에 있어서, 상기 가공물의 표면을 가공하는 단계는 표면 세정, 표면 활성화, 마이크로 나노 및 나노 패턴 구조의 건식 식각, 박막 증착, 이온화 증착, 반복 에칭-식각, 이온 주입에 바탕을 둔 플라즈마 공정, 표면 연마 중에서 선택된 어느 하나의 가공을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 방법
|
