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짧은 채널길이를 갖는 탄화규소 전계효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015163337
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄화규소 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 불순물의 농도가 5E18 ~ 5E19 범위의 제1도전형 고농도 탄화규소 기판과; 상기 탄화규소 기판의 상면에 형성되는 불순물의 농도가 5E13 ~ 5E16 범위의 제1도전형 저농도 탄화규소 에피박막층과; 상기 제1도전형 저농도 탄화규소 에피박막층의 표면에 패터닝된 실리콘 단결정 에피박막 마스크를 통해 이온주입을 통해 형성되는 깊이 0.6~1.0㎛이고 불순물의 농도가 1E17~5E17 범위의 제2도전형 웰(well) 영역과; 상기 제2도전형 웰 영역 내부에 자기정렬방법으로 제1도전형 소오스 영역을 형성하기 위해 상기 실리콘 단결정 에피박막 마스크를 열산화공정으로 산화시키고, 상기 열산화 공정을 통해 성장된 실리콘 산화막을 마스크로 하여 제2도전형 웰 영역에 제1도전형 이온을 주입하여 형성되는 제1도전형 소오스 영역과; 상기 실리콘 산화막을 건식 또는 습식식각 공정으로 제거하고 제2도전형 웰 영역과 제1도전형 소오스 영역 사이의 탄화규소 에피박막층 위에 형성되는 게이트 산화막과; 상기 게이트 산화막 위에 폴리실리콘 또는 금속을 이용하여 형성되는 게이트 전극과; 상기 게이트 전극과 제1도전형 소오스 영역을 전기적으로 분리시키기 위한 필드(field) 산화막과; 상기 제1도전형 소오스 영역 위에 소오스와 외부전극을 전기적으로 연결시키기 위해 금속증착을 통해 상기 탄화규소 에피박막층의 소오스 영역에 형성되는 소오스 전극 및 상기 탄화규소 기판 후면에 형성하는 드레인 전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 짧은 채널길이를 갖는 탄화규소 전계효과 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 공정 단가가 저렴하고 실리콘 단결정 에피박막이 이온주입방향에 대해 자연적으로 3°또는 8° 오프된 방향을 가지므로 채널링을 방지할 수 있어 원하지 않는 영역의 이온주입을 방지할 수 있으며 채널길이가 짧으며, 산화시간에 따라 채널길이를 자유롭게 조절할 수 있는 우수한 효과가 있다. 탄화규소, 전계효과 트랜지스터, SiC-MOSFET, 자기정렬, self-align,
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66053(2013.01) H01L 29/66053(2013.01) H01L 29/66053(2013.01)
출원번호/일자 1020090106178 (2009.11.04)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1034895-0000 (2011.05.06)
공개번호/일자 10-2011-0049249 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.04)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 경상남도 창원시
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시
3 김남균 대한민국 경상남도 창원시
4 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
5 주성재 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0679271-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0150975-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
불순물의 농도가 5E18 ~ 5E19 범위의 제1도전형 고농도 탄화규소 기판(2)과; 상기 탄화규소 기판(2)의 상면에 형성되는 불순물의 농도가 5E13 ~ 5E16 범위의 제1도전형 저농도 탄화규소 에피박막층(1)과; 상기 제1도전형 저농도 탄화규소 에피박막층(1)의 표면에 패터닝된 실리콘 단결정 에피박막(3) 마스크를 통해 이온주입을 통해 형성되는 깊이 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.