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투명박막트랜지스터의 재료에 있어서,
상기 투명박막트랜지스터의 채널층은 투명 무기물 반도체 입자를 투명 유기물 반도체 매트릭스(matrix)에 균일하게 분산시킨 하이브리드 반도체 잉크를 사용하고,
상기 투명 무기물 반도체 입자는 미리 커플링제(coupling agent)를 처리하여 투명 유기물 반도체에 분산시키거나, 상기 하이브리드 반도체 잉크 제조시에 커플링제를 첨가하여 표면 개질시키되,
상기 커플링제는 실란(silane), 타이타네이트(titanate) 및 알루미네이트(aluminate) 중의 어느 하나 또는 이들을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 1항에 있어서, 상기 채널층은,
n 또는 p 타입으로 이루어지되, n-채널층은 n 타입의 투명 무기물 반도체 입자와 n 타입의 투명 유기물 반도체 매트릭스를 사용하고, p-채널층은 p 타입의 투명 무기물 반도체 입자와 p 타입의 투명 유기물 반도체 매트릭스를 사용하는 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 4항에 있어서, 상기 n 타입의 투명 무기물 반도체 입자로는 n 타입의 (ZnO, ZnO-화합물, In2O3, In2O3-화합물, SnO2, SnO2-화합물, GaN, GaN-화합물, SiC 및 다이아몬드) 중의 어느 하나 또는 이들을 2종 이상 섞어서 사용하는 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 4항에 있어서, 상기 n 타입의 투명 유기물 반도체로는 유기용매에 녹는 tetracarboxyllic anhydride 유도체(NTCDI), tetracarboxylic anhydride 유도체(NTCDA), quinodimethane 화합물, phthalo-cyanine 유도체, poly(benzobisimidazobenzo-phenanthroline)(BBL) 중의 어느 하나 또는 이들을 2종 이상 섞어서 사용하는 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 4항에 있어서, 상기 p 타입의 투명 무기물 반도체 입자로는 p 타입의 (ZnO, ZnO-화합물, In2O3, In2O3-화합물, SnO2, SnO2-화합물, GaN, GaN-화합물, SiC 및 다이아몬드) 중의 어느 하나 또는 이들을 2종 이상 섞어서 사용하는 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 4항에 있어서, 상기 p 타입의 투명 유기물 반도체로는 유기용매에 녹는 pentacene, 퓨즈된 방향족 유도체, 올리고티오펜 유도체, 올리고페닐렌 유도체, 티오페닐렌 비닐렌 유도체, poly(3-alkylthiophene) 유도체, bithiophene-dioctyfluorene 공중합체, TQTs 중의 어느 하나 또는 이들을 2종 이상 섞어서 사용하는 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 1항에 있어서, 상기 투명 무기물 반도체의 입자의 크기는 10 nm 이상 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 1항에 있어서, 상기 투명 유기물 반도체 매트릭스에 들어가는 투명 무기물 반도체 입자의 량은 10 중량부 이상 90 중량부 이내인 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료
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제 1항, 제 4항 내지 제 10항 중 어느 하나의 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터용 재료를 이용하여, 습식코팅방법에 의해 게이트 절연층 상층에 코팅하여 유무기 나노하이브리드 채널층이 형성된 것을 특징으로 하는 유무기 나노하이브리드 투명박막트랜지스터
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