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자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015163367
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형 탄화규소 기판을 형성시키는 단계와; 상기 탄화규소 기판의 상면에 제1도전형 탄화규소 에피박막층을 형성하는 단계와; 상기 제1도전형 탄화규소 에피박막층 상부를 50 ~ 100nm 두께로 산화공정으로 게이트 절연막을 형성시키는 단계와; 상기 게이트 절연막 표면에 웰(Well)의 이온주입 영역을 정의하며 무전해도금의 촉매 역할을 하기 위한 금속 마스크 물질을 증착 후 패터닝하여 첫 번째 금속 마스크를 형성하는 단계와; 상기 첫 번째 금속 마스크로 정의된 웰(Well)의 이온주입 영역에 제2도전형 불순물인 보론 또는 알루미늄 이온주입하여 불순물의 농도 및 깊이가 각각 1E17 ~ 5E18/㎤이고, 0.5 ~ 1㎛인 제2도전형 웰(Well) 영역을 형성하는 단계와; 상기 제1도전형 탄화규소 에피박막층 표면에 절연물질을 도포하고 평탄화하여 절연물질의 높이가 상기 첫 번째 금속 마스크보다 낮게 하여 첫 번째 금속 마스크가 드러나게 하는 단계와; 상기 첫 번째 금속 마스크 측면 및 상부에 소오스 영역을 정의하기 위한 것으로, 두께 및 폭이 0.2 ~ 1.0㎛인 두 번째 금속 마스크를 무전해도금 형성하는 단계와; 상기 절연물질을 제거하는 단계와; 상기 두 번째 금속 마스크로 정의되는 소오스 영역에 제1도전형 불순물인 질소 또는 인을 이온주입하여 불순물의 농도 및 깊이가 각각 1E19 ~ 1E20/㎤이고 0.1 ~ 0.3㎛인 제1도전형 소오스 영역을 형성하는 단계와; 상기 첫 번째 금속 마스크와 두 번째 금속 마스크를 제거하는 단계와; 상기 게이트 절연막을 패터닝하여 게이트 전극이 위치할 영역을 제외한 게이트 절연막을 제거하는 단계와; 상기 게이트 전극을 소오스 전극과 전기적으로 절연시키기 위해 필드(field) 산화막을 증착하고, 상기 필드(field) 산화막을 소오스 전극이 증착될 위치를 정의하기 위해 식각하는 단계와; 상기 소오스 영역 및 드레인 영역을 외부 전극과 연결시키기 위해 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 고가의 장비를 사용하지 않고 무전해도금법을 이용한 자기정렬(Self-align) 공정을 통해 채널길이를 조절할 수 있어 종래의 미세패턴구현 방법에 비해 공정비용을 줄이고 사용되는 마스크 수를 줄임으로써 정렬오차를 줄이고, 비용 및 시간을 절약할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020100068785 (2010.07.16)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1063935-0000 (2011.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.16)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 경상남도 창원시
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시
3 김남균 대한민국 경상남도 창원시
4 김은동 대한민국 경상남도 창원시
5 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
6 주성재 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0458808-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0359134-47
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1도전형 탄화규소 기판(1)을 형성시키는 단계와;상기 탄화규소 기판(1)의 상면에 제1도전형 탄화규소 에피박막층(2)을 형성하는 단계와;상기 제1도전형 탄화규소 에피박막층(2) 상부를 50 ~ 100nm 두께로 산화공정으로 게이트 절연막(3)을 형성시키는 단계와;상기 게이트 절연막(3) 표면에 웰(Well)의 이온주입 영역을 정의하며 무전해도금의 촉매 역할을 하기 위한 금속 마스크 물질을 증착 후 패터닝하여 첫 번째 금속 마스크(4)를 형성하는 단계와;상기 첫 번째 금속 마스크(4)로 정의된 웰(Well)의 이온주입 영역에 제2도전형 불순물인 보론 또는 알루미늄 이온주입하여 불순물의 농도 및 깊이가 각각 1E17 ~ 5E18/㎤이고, 0
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1도전형 및 제2도전형은 제1도전형이 n형이고 제2도전형이 p형이거나, 제1도전형이 p형이고 제2도전형이 n형인 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 절연물질(6)은 포토레지스트 또는 BCB(benzocyclobutene)인 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 금속 마스크 물질로 팔라듐, 니켈 또는 금을 사용하는 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 게이트 절연막(3)은, 건식 또는 습식 산화공정이나 열산화공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 탄화규소 기판(1)은 도전형이 n형이고, 불순물 농도는 5E18~5E19/㎤ 범위의 고농도인 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 탄화규소 에피박막층(2)의 도전형이 n형이고, 불순물 농도가 5E15 ~ 5E17/㎤ 범위의 저농도인 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 탄화규소 기판(1)은 도전형이 p형이고, 불순물 농도는 5E18~5E19/㎤ 범위의 고농도인 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 탄화규소 에피박막층(2)의 도전형이 p형이고, 불순물 농도가 5E15 ~ 5E17/㎤ 범위의 저농도인 것을 특징으로 하는 자기정렬법을 이용한 탄화규소 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
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