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고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법

  • 기술번호 : KST2015163370
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디스플레이, 의료용 광원 등에서 사용되는 고전압 전계방출 디바이스에 관한 것으로서, 기판 위에 전계 방출 디바이스의 실효 전계방출 영역을 정의하기 위해 마스크 패턴을 형성하는 (가)단계와; 상기 마스크의 단면모양이 곡률을 가질 수 있도록 리플로우하는 (나)단계와; 리플로우된 마스크를 이용하여 기판을 건식식각하는 (다)단계와; 건식식각되어 마스크의 단면모양이 전사된 기판 위에 전계방출팁을 성장시키기 위한 촉매금속을 증착하는 (라)단계와; 상기 촉매금속 및 화학기상증착법을 이용하여 전계방출팁을 성장시키는 단계(마)와; 상기 기판 뒷면에 캐소드전극을 형성하는 (바)단계와; 기판 절단을 통해 최종적으로 전계 방출 디바이스 구조를 얻는 (사)단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 양극과 음극 간의 전계가 전계방출이 발생하는 영역에만 집중되도록 하여 전계방출 효율을 높일 수 있으며, 대면적화가 가능하므로 전계방출 디바이스 제조비용 및 제조단가가 줄여 경제적인 이점이 있다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자 1020100059685 (2010.06.23)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1048885-0000 (2011.07.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경상남도 진주시
2 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
3 주성재 대한민국 경상남도 창원시
4 차승일 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0404349-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0053222-86
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0351118-30
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 전계 방출 디바이스의 실효 전계방출 영역을 정의하기 위해 마스크 패턴을 형성하는 (가)단계와;상기 마스크의 단면모양이 곡률을 가질 수 있도록 리플로우하는 (나)단계와;리플로우된 마스크를 이용하여 기판을 건식식각하는 (다)단계와;건식식각되어 마스크의 단면모양이 전사된 기판 위에 전계방출팁을 성장시키기 위한 촉매금속을 증착하는 (라)단계와;상기 촉매금속 및 화학기상증착법을 이용하여 전계방출팁을 성장시키는 단계(마)와;상기 기판 뒷면에 캐소드전극을 형성하는 (바)단계와;기판 절단을 통해 최종적으로 전계 방출 디바이스 구조를 얻는 (사)단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (가)단계에서의 마스크의 두께는 기판 위에 전사된 두께의 3배~5배로 형성하는 것을 특징으로 하는 고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 (나)단계는, 110℃~130℃ 사이의 온도에서 30초~240초 동안 리플로우 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 마스크는 포토레지스터, 실리콘산화막(SiO2), 폴리이미드(PI) 및 벤조시클로부텐(benzocyclobutene; BCB) 중에 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 기판의 단면모양은 곡률반경 50㎛~100㎛를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 전계방출팁은 탄소나노튜브로 형성하는 것을 특징으로 하는 고전압 전계방출 디바이스의 종단구조 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.