맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전력용 ＭＯＳＦＥＴ의 자기정렬식 제조방법

  • 기술번호 : KST2015163385
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법에 관한 것으로서, p-well 영역과 소스 영역 사이의 패턴정렬 오차를 최소화하여 신뢰성을 확보하기 위한 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 단면이 T자 형상인 마스크를 제작하는 제1단계;와 상기 마스크의 하부 내측 방향으로 일정 각도 경사지게 억셉터 이온을 주입한 후, 다시 수직방향으로 상기 억셉터 이온을 주입하여 p-well 영역을 형성하는 제2단계;와 상기 p-well 영역 상의 일정 구간에 유효 게이트를 형성시키기 위해 수직 방향으로 도너 이온을 주입하여 소스 영역을 형성하는 제3단계;와 상기 제3단계에서 주입된 이온을 전기적으로 활성화시킨 후 게이트 산화막을 증착하는 제4단계;와 상기 게이트 산화막 상에 폴리실리콘을 이용하여 게이트를 형성하는 제5단계;와 상기 게이트 산화막의 양단을 일정 간격 식각하여 소스접촉부를 형성하는 제6단계; 및 상기 반도체기판의 하부면과 게이트 산화막 및 소스접촉부에 금속막을 증착하고 열처리하여 실리사이드를 형성한 후 습식 식각을 통해 게이트,소스,드레인 전극을 형성하는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 기술적 요지로 한다. 상술한 바와 같은 방법으로 제조되는 본 발명은, T자형의 마스크를 통해 p-well 영역과 소스 영역 사이의 패턴정렬 오차가 최소화되므로, 즉 유효 게이트의 길이가 오차없이 일정하게 형성되도록 하여 신뢰성을 확보할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/2257(2013.01) H01L 21/2257(2013.01) H01L 21/2257(2013.01)
출원번호/일자 1020100070438 (2010.07.21)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1063924-0000 (2011.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.21)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경상남도 진주시
2 김남균 대한민국 경상남도 창원시
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시
4 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
5 주성재 대한민국 경상남도 창원시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0470613-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0399512-29
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단면이 T자 형상인 마스크를 제작하는 제1단계;상기 마스크의 하부 내측 방향으로 일정 각도 경사지게 억셉터 이온을 주입한 후, 다시 수직방향으로 상기 억셉터 이온을 주입하여 p-well 영역을 형성하는 제2단계;상기 p-well 영역 상의 일정 구간에 유효 게이트를 형성시키기 위해 수직 방향으로 도너 이온을 주입하여 소스 영역을 형성하는 제3단계;상기 제3단계에서 주입된 이온을 전기적으로 활성화시킨 후 게이트 산화막을 증착하는 제4단계;상기 게이트 산화막 상에 폴리실리콘을 이용하여 게이트를 형성하는 제5단계;상기 게이트 산화막의 양단을 일정 간격 식각하여 소스접촉부를 형성하는 제6단계; 및상기 반도체기판의 하부면과 게이트 산화막 및 소스접촉부에 금속막을 증착하고 열처리하여 실리사이드를 형성한 후 습식 식각을 통해 게이트,소스,드레인 전극을 형성하는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1단계는, 반도체기판 상에 산화막과 폴리머층 및 포토레지스트를 순차적으로 증착하는 (가)단계와,포토레지스트 패턴 작업을 통해 역상 모양의 T자형 단면 홈을 형성하는 (나)단계와,건식 식각을 통해 산화막을 제거하여 십자형 단면 홈을 형성하는 (다)단계, 및상기 포토레지스트를 아세톤으로 제거하여 T자형 단면 홈을 형성한 후 상기 T자형 단면 홈에 소정의 금속물질을 증착하고 폴리머층 및 산화막을 제거하는 (라)단계를포함하여 이루어져 단면이 T자형인 마스크를 제작하는 것을 특징으로 하는 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 (나)단계에서는, 상기 폴리머층을 코팅한 후 150℃ 내지 200℃에서 30분간 소프트베이킹을 수행하는 것을 특징으로 하는 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 (나)단계에서는, 상기 포토레지스트에 먼저 식각 작업을 수행하고 심자외선(DUV; Deep UltraViolet)에서 일정시간 노출시킨 후, 다시 폴리머층에 식각 작업을 수행하는 것을 특징으로 하는 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 제2단계에서는, 상기 마스크의 하부 내측 방향으로 8°이내의 입사각으로 억셉터 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 제4단계에서는,주입된 이온을 1600℃ 내지 1700℃의 온도에서 30분간 열처리하여 전기적으로 활성화시키는 것을 특징으로 하는 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 제4단계에서는,상기 게이트 산화막을 1150℃의 산소 분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 전력용 MOSFET의 자기정렬식 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.