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전자 방출 장치에 있어서, 전자를 발생하여 양극부로 보내기 위한 음극부를 포함하고,상기 음극부는, 금속막을 사이에 두고 접합된 상부 실리콘 웨이퍼와 하부 실리콘 웨이퍼 상에서 상기 상부 실리콘 웨이퍼를 요철 형태로 식각하여 형성한 광결정들을 가지는 기판, 및 상기 광결정들의 위에 형성된 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 광결정들은 실리콘 결정 (100) 방향으로의 비등방적 습식공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 에미터는 CNT, 카본 필름(Carbon films), 카본 관 나노 코일(Carbon Tubule Nanocoils), 알루미늄 질화물 나노로드(Aluminum nitride nanorods) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 금속막은 금(Au)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 상부 실리콘 웨이퍼 상에 미리 형성된 유전체층을 일정 패턴으로 식각하고, 식각된 상기 유전체층을 마스크로 이용하여, 상기 광결정들을 형성한 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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제5항에 있어서, 상기 유전체층은 SiN, 또는 SiO2막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 금속막이 드러나도록 상기 상부 실리콘 웨이퍼를 식각하여 상기 광결정들을 형성한 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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제1항에 있어서, 상기 금속막을 상기 음극부의 전극으로 이용하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치
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