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식각공정을 활용한 블랙 반도체의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015163403
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 카바이드 표면에 인위적으로 표면거칠기를 유발할 수 있는 새로운 방법을 제시한다. 본 발명에 의하면, 표면에 특정한 패턴을 형성하기 위한 별도의 공정이 전혀 필요하지 않으며, 실리콘 카바이드 상부에 플라즈마 건식식각에 의하여 자연적으로 표면거칠기가 유발되는 물질(예를 들어 실리콘)을 적층하거나, 또는 각종 금속 성분이나 산화물, 질화물 등의 재질을 갖는 나노분말(nano powder)을 실리콘 카바이드 표면에 뿌린 후 플라즈마 건식식각 공정을 거쳐서 반사도가 0에 가까운 블랙 실리콘 카바이드를 손쉽게 얻을 수 있다. 상기 블랙 실리콘 카바이드는 광소자, 생체소자, 각종 화학센서 등에 응용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/0243(2013.01) H01L 21/0243(2013.01) H01L 21/0243(2013.01) H01L 21/0243(2013.01)
출원번호/일자 1020100072135 (2010.07.26)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1172809-0000 (2012.08.03)
공개번호/일자 10-2012-0010539 (2012.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120004878;
심사청구여부/일자 Y (2010.07.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주성재 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강민석 대한민국 서울특별시 동작구
3 구상모 대한민국 서울특별시 성동구
4 방 욱 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0482841-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0521088-46
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0900238-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0996082-33
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0039237-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0038117-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0038096-03
9 등록결정서
Decision to grant
2012.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0366324-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
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식각공정(etching process)에서 자연적으로 표면거칠기가 유발되는 희생식각층(sacrificial etch layer)을 반도체 표면에 형성하는 제 1단계와;식각공정을 실시하여 상기 희생식각층에 표면거칠기를 유발하는 제 2단계와;식각공정을 실시하여 상기 희생식각층에 유발된 표면형상을 하부에 위치한 반도체로 전사(轉寫)하는 제 3단계;를 포함하여 진행되어 반도체 표면에 인위적으로 표면거칠기(surface roughness)를 유발하는 것을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 반도체는 실리콘 카바이드임을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 식각공정은 플라즈마를 이용하는 건식식각(dry etch) 공정임을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
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제 3항에 있어서, 상기 건식식각에 SF6와 O2의 혼합기체를 사용함을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 희생식각층으로 실리콘막(silicon film)을 사용함을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 희생식각층과 반도체의 식각을 동일한 식각공정을 이용하여 한꺼번에 진행하는 것을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101215565 KR 대한민국 FAMILY

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