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금속 디스크(100)를 가공하는 제1단계와;상기 가공된 금속 디스크(100)의 배면에 내산화층(110)을 형성하는 제2단계와;상기 금속 디스크(100)의 측면 및 상면 가장자리 부분에 금속층을 증착하는 제3단계와;상기 금속층이 증착된 금속 디스크(100)를 산화시켜, 상기 금속 디스크(100)의 상면에서 상기 금속층이 증착되지 않은 부분에서는 금속 나노선(120)을 성장시키고, 상기 금속층이 증착된 금속 디스크(100)의 측면 및 상면 가장자리 부분에는 금속산화물 절연층(130)을 성장시키는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 디스크(100)는 Cu를 사용하며, 상기 금속 나노선(120)은 CuO인 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 내산화층(110)은, Au, Pt, Mo, Mo 버퍼층 상면에 Au막을 증착한 것 4가지 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속층은 Al을 사용하며, 상기 금속산화물 절연층(130)은 Al2O3인 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 제4단계의 산화조건은 공기 분위기에서 350℃~600℃의 온도범위에서 3시간~6시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자의 제조방법
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전계방출 소자의 음극으로 사용되는 금속 디스크(100)와;상기 금속 디스크(100)의 배면에 형성된 내산화층(110)과;상기 금속 디스크(100)의 측면 및 상면 가장자리 부분에 금속층을 증착하여 이를 산화시켜 형성되고, 상기 금속 디스크(100)의 상면에서 상기 금속층이 증착되지 않은 부분에 형성되어 전계방출 소자의 전계방출팁으로 사용되는 금속 나노선(120)과;상기 금속 나노선(120)과 동시에 형성되며, 상기 금속층이 증착된 상기 금속 디스크(100)의 측면 및 상면 가장자리에 형성되는 금속산화물 절연층(130);을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자
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제 6항에 있어서, 상기 금속 디스크(100)는 Cu를 사용하며, 상기 금속 나노선(120)은 CuO인 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자
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제 6항에 있어서, 상기 내산화층(110)은,Au, Pt, Mo, Mo 버퍼층 상면에 Au막을 증착한 것 4가지 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자
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제 6항에 있어서, 상기 금속층은 Al을 사용하며, 상기 금속산화물 절연층(130)은 Al2O3인 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자
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제 6항 내지 제 9항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 디스크(100)의 측면 및 상면 가장자리 부분에 증착된 금속층의 산화는 공기 분위기에서 350℃~600℃의 온도범위에서 3시간~6시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 고출력 전계방출 소자
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