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엑스-선 조사시 입사하는 엑스-선을 가시광선으로 변환해주는 물질로 구성되는 섬광체;상기 가시광선을 흡수하여 전자와 정공을 발생시키는 엑스-선 PCL(Photo Conductive Layer);상기 엑스-선 PCL에서 발생된 상기 전자를 모으는 ETL(Electron Trapping Layer); 및광선을 쪼이면 전자와 정공을 발생시키고 발생된 정공과 상기 ETL에 모인 전자를 결합시키는 독출(readout) PCL을 포함하고, 상기 독출(readout) PCL에서 발생된 정공과 상기 ETL에 모인 전자를 결합한 후 상기 독출(readout) PCL에 남은 전자를 수집하여 영상 정보를 획득하는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제1 항에 있어서,상기 섬광체는, CsI(Tl) 또는 CsI(Na)를 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제1 항에 있어서,상기 섬광체는,입사하는 엑스-선 에너지에 따라 흡수할 수 있는 수십 μm ~ 수 mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제1 항에 있어서,상기 섬광체와 상기 엑스-선 PCL 사이에 위치하여 상기 섬광체에서 변환된 가시광선을 통과시켜주는 투명 상부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제4 항에 있어서,상기 투명 상부전극은, 상기 가시광선을 통과시킬 수 있는 물질로, ITO(indium/tin/oxide) 또는 CNT(Carbon-Nano Tube)를 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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엑스-선 조사시 입사하는 엑스-선을 흡수하여 전자와 정공을 발생시키는 엑스-선 PCL(Photo Conductive Layer);상기 엑스-선 PCL 내부의 소정 영역에 위치하여 발생된 상기 정공을 모으는 그리드;상기 엑스-선 PCL에서 발생된 상기 전자를 모으는 ETL(Electron Trapping Layer); 및광선을 쪼이면 전자와 정공을 발생시키고 발생된 정공과 상기 ETL에 모인 전자를 결합시키는 독출(readout) PCL을 포함하고, 상기 독출(readout) PCL에서 발생된 정공과 상기 ETL에 모인 전자를 결합한 후 상기 독출(readout) PCL에 남은 전자를 수집하여 영상 정보를 획득하는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제6 항에 있어서,상기 그리드는,그 일측에 접지에 스위칭할 수 있도록 형성되어, 상기 엑스-선이 축적되는 시간동안 상기 접지에 연결되어 상기 엑스-선 PCL에서 발생된 정공을 수집하는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제7 항에 있어서,상기 그리드는,상기 엑스-선 PCL 내부의 상단에서부터 하단까지 그 특성 및 응용에 따라서 위치하는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제7 항에 있어서,상기 그리드는,상기 엑스-선이 쉽게 투과할 수 있도록 소정의 격자 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제7 항에 있어서,상기 그리드는,상기 엑스-선이 쉽게 투과할 수 있도록 가로 또는 세로 줄무늬 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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제6 항에 있어서,상기 그리드에 의한 독출(readout) 효율성(efficiency) E1은 수학식 에 의해 구하고,여기서, 상기 L은 상기 엑스-선 PCL의 두께를 나타내고, 상기 L1은 상기 그리드와 상기 ETL 사이의 거리를 나타내며, 상기 d는 상기 독출(readout) PCL의 두께를 나타내는 것을 특징으로 하는 광 스위칭 방식을 이용하는 디지털 엑스-선 영상 검출기
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