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용매에 폴리비닐파이롤리돈(PVP)를 혼합하여 혼합용액을 형성시키는 제1단계와;제1단계에서 형성된 혼합용액에 전구체인 AMT(Ammonium metatungstate)를 첨가하여 혼합용액을 반응시킴에 의해 투명한 페이스트 조성물을 형성시키는 제2단계;를 포함하여 구성되되, 상기 페이스트 조성물은 FTO(F:SnO2) 상면에 도포 되어 광전극으로 형성됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계는, 10℃~50℃의 온도에서 5분 내지 1시간 동안 진행됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계는 10℃~50℃온도에서 10분 내지 10시간 진행됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계에서, 상기 혼합용액은 용매 100중량부에 대하여 폴리비닐파이롤리돈(PVP)이 1 내지 50 중량부 혼합됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 혼합용액 100 중량부에 대하여 AMT(Ammonium metatungstate)가 10 내지 500 중량부 혼합됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 2단계에서,상기 혼합용액에는 AMT 외에 Bi, V, Si, Mg, Ni, Ru, Fe, W, Sn, Mo, Co, Cu, Zn, Se, Na, Ti 로 구성된 원소 중 하나 이상이 첨가됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2단계후에, 상기 제2단계에서 형성된 페이스트 조성물을 50℃~80℃ 온도의 오븐에서 10분 내지 2시간 동안 건조시킴을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 도포는 닥터 블레이드법, 스프레이법, 페인팅법, 딥핑법, 스크린프린팅 법 중 하나로 형성됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 광전극 도포 후에 400℃~600℃에서 30분 내지 10시간 동안 열처리 됨을 특징으로 하는 폴리비닐파이롤리돈 혼합용액을 사용한 광전극용 텅스텐옥사이드 페이스트 조성물의 제조방법
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