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실리콘 카바이드 반도체소자의 제조방법에 있어서,
고내열성 물질을 전극용 재료로 사용하여 실리콘 카바이드 상부에 고내열성 물질로 이루어진 전극을 형성시킨 상태에서, 이온주입 후열처리(post-implantation thermal treatment)를 진행하는 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 고내열성 전극물질은,
티타늄-텅스텐 합금(Ti-W), 탄탈륨 카바이드(tantalum carbide), 티타늄 카바이드(titanium carbide), 텅스텐 카바이드(tungsten carbide), 티타늄 실리사이드(Titanium silicide), 탄탈륨 실리사이드(Tantalum silicide), 텅스텐 실리사이드(tungsten silicide) 중에 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체소자는,
실리콘 카바이드 접합전계효과 트랜지스터(SiC junction field effect transistor)인 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체소자는,
실리콘 카바이드 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(SiC metal oxide semiconductor field effect transistor)인 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체소자는,
실리콘 카바이드 다이오드(SiC diode)인 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체소자는,
실리콘 카바이드 바이폴라 소자(SiC bipolar device)인 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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7
제2항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체소자는,
실리콘 카바이드 금속 반도체 전계효과 트랜지스터(SiC metal semiconductor field effect transistor)인 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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8
제2항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 반도체소자는,
메사 구조를 갖는 것을 특징으로 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 메사 구조의 상부에 위치하는 전극을 형성하기 위해, 상기 고내열성 전극물질로 형성된 메사상부전극과 메사 식각 및 자기정렬 이온주입을 위해 필요한 마스크(11)를 동시에 형성 및 원하는 영역에 한정함으로써, 메사상부전극(10)의 형성을 완료하는 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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10
제8항에 있어서, 상기 메사 구조의 상부에 위치하는 전극을 형성하기 위해, 실리콘 카바이드 기판 상부에 상기 고내열성 전극물질로 이루어진 막층(10')을 형성한 후에, 메사 식각 및 자기정렬 이온주입을 위해 필요한 마스크(11)을 원하는 영역에 한정하여 형성하고, 그 마스크(11)를 이용하여 상기 고내열성 전극물질로 이루어진 막층(10')을 식각하여 원하는 영역에 한정함으로써 메사상부전극(10)의 형성을 완료하는 것을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 이온주입 후열처리의 온도가 1400oC ~ 1700oC임을 특징으로 하는 내열성 전극물질을 이용한 실리콘 카바이드 반도체소자의 제조 방법
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