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나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015163461
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계방출소자의 제작방법에 관한 것으로서, 나노기술의 일종인 나노구슬 제조법을 이용하여 고밀도의 실리콘 팁을 간편하게 형성함으로써 고출력의 전계방출소자를 제작할 수 있는 방법에 관한 것이다. 좀 더 상세하게는, 게이트 금속막 형성 및 개구부가 정의되어 있는 기판에 균일한 직경을 갖는 나노구슬을 단층으로 형성하고, 상기 나노구슬을 식각마스크로 사용하여 직접 기판을 식각하거나, 또는 상기 나노구슬이 형성된 상태에서 식각방지층을 형성하고 나노구슬을 리프트-오프 방법으로 제거한 후 기판을 식각함으로써 개구부 안에 여러 개의 실리콘 팁을 동시에 형성하는 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 전계방출소자 제작시 정밀한 콘트롤을 요구하는 난이도 높은 공정이 없으므로 전반적인 공정의 단순화가 가능하며, 한 개의 개구부에 여러 개의 실리콘 팁을 형성할 수 있으므로 기존의 전계방출소자에 비해 단위면적당 전자방출밀도가 높아져 고밀도, 고출력 전계방출소자를 제작할 수 있는 이점이 있다. 전계방출소자 나노구슬 실리콘 팁 고출력
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020090097123 (2009.10.13)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1042003-0000 (2011.06.09)
공개번호/일자 10-2011-0040011 (2011.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주성재 대한민국 경상남도 창원시
2 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
3 강인호 대한민국 경상남도 진주시
4 차승일 대한민국 경상남도 창원시 가

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0625874-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0124442-50
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0334275-00
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0288646-68
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
전계방출소자의 제작 방법에 있어서, 기판의 상측에 절연막을 형성하는 제1단계와; 상기 절연막 상측에 개구부가 구비된 게이트 금속막을 형성하는 제2단계와; 상기 절연막을 식각하여 상기 개구부를 통해 기판을 노출시키는 제3단계와; 상기 절연막 식각 후 그 상층에 나노구슬을 형성하는 제4단계와; 상기 나노구슬을 마스크로 사용하여 기판을 식각하여 상기 개구부 안에 팁을 형성시키는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판 또는 실리콘 카바이드 기판인 것을 특징으로 하는 나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 게이트 금속막의 재질은 상기 제5단계의 기판 식각과정에서 식각되지 않는 금속인 것을 특징으로 하는 나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법
4 4
전계방출소자의 제작 방법에 있어서, 기판의 상측에 절연막을 형성하는 제1단계와; 상기 절연막 상측에 개구부가 구비된 게이트 금속막을 형성하는 제2단계와; 상기 절연막을 식각하여 상기 개구부를 통해 기판을 노출시키는 제3단계와; 상기 절연막 식각 후 그 상층에 나노구슬을 형성하는 제4단계와; 상기 나노구슬 상층의 상기 기판 전면에 식각방지층을 형성하는 제5단계와; 식각공정을 거쳐 나노구슬 사이의 틈새자리에 형성된 식각방지층만 남기는 제6단계와; 상기 식각방지층을 제외한 노출된 기판을 식각하여 개구부 안에 팁을 형성시키는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판 또는 실리콘 카바이드 기판인 것을 특징으로 하는 나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 게이트 금속막의 재질은 상기 제7단계의 기판 식각과정에서 식각되지 않는 금속인 것을 특징으로 하는 나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법
7 7
제 4항에 있어서, 상기 식각방지층의 재질은 니켈 또는 티타늄, 두께는 10 nm 이하로 형성되어, 상기 제7단계의 기판 식각과정에서 식각방지층이 측면으로 식각되는 것을 특징으로 하는 나노구슬을 이용한 전계방출소자의 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.