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기판상에 금속촉매인 철(Fe)를 도포시켜 촉매층을 형성시키는 촉매도포단계와; 금속촉매가 도포된 기판에 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 탄소나노튜브층을 성장시키되, 챔버의 온도를 600℃~800℃로 유지하고, 원료가스인 수소, 메탄, 산소를 각각 120~200 sccm, 20~60 sccm, 1~10sccm 유랑으로 공급하여 탄소나노튜브층을 증착 및 성장시키는 탄소나노튜브층 형성단계와;상기 나노튜브층이 형성된 기판을 수소플라즈마 처리시키는 수소플라즈마 에칭단계; 그리고, 상기 수소플라즈마 처리단계를 마친 기판을 1몰의 염산수용액에 침지시켜 에칭시키는 촉매습식에칭단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 촉매는 1㎚ ~ 30㎚ 두께로 도포됨을 특징으로 하는 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층 형성단계에서 챔버의 압력은 5 torr ~ 20 torr가 됨을 특징으로 하는 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층은 10㎛ ~ 100㎛ 두께로 형성됨을 특징으로 하는 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 수소플라즈마 에칭단계에서 에칭은 5 ~ 20분 진행됨을 특징으로 하는 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 촉매습식 에칭은 1 ~ 10분 진행됨을 특징으로 하는 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판 상면에는 철로 형성된 촉매층과 기판 사이에 알루미늄(Al) 촉매층이 더 형성됨을 특징으로 하는 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법
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