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분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)로부터 대면적의 산화그라펜 분산용액을 제조하는 제1단계와;상기 제1단계의 산화그라펜 분산용액에 금속전구체를 혼합하여 산화그라펜/금속전구체 분산용액을 제조한 후, 습식공정을 통해 환원시켜 금속나노입자를 그라펜 표면 위에 균일하게 형성시키는 그라펜/금속나노입자 분산용액을 제조하는 제2단계와; 상기 제2단계의 그라펜/금속나노입자 분산용액을 여과기를 이용하여 그라펜/금속나노입자 필름으로 형성하는 제3단계와; 상기 그라펜/금속나노입자 필름을 여과지인 필터로부터 분리하고 기판 위에 전사하여 전자 방출원을 제조하는 제4단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계의 산화그라펜 분산용액은,분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)를 산처리를 통해 합성한 후, 용매에 분산시켜 형성됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 금속전구체는 Al, Mg, Ag, Au, Cu, Pt, Pd, Ti, Ni 및 Co 중 어느 하나의 금속 또는 이들 중 둘 이상의 혼합물 금속이 포함된 것을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 금속전구체는 산화그라펜과 금속전구체 혼합물 100 중량부에 대해 0
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 그라펜/금속나노입자 분산용액은,산화그라펜/금속전구체 분산용액을 환원제를 사용하여 환원시킨 후, 용매에 분산시켜 형성됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원의 제조방법
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기판과; 상기 기판의 상면에 형성되고, 산화그라펜 분산용액에 금속전구체를 혼합하여 형성된 산화그라펜/금속전구체 분산용액을 환원시켜 수직정렬된 첨부를 형성시킨 그라펜/금속나노입자 필름;으로 구성된 그라펜을 이용한 전자 방출원에 있어서,상기 그라펜/금속나노입자 필름에 형성된 첨부는 여과기를 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 6항에 있어서, 상기 금속전구체는 Al, Mg, Ag, Au, Cu, Pt, Pd, Ti, Ni 및 Co 중 어느 하나의 금속 또는 이들 중 둘 이상의 혼합물 금속이 포함된 것을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 6항에 있어서, 상기 금속전구체는 산화그라펜과 금속전구체 혼합물 100 중량부에 대해 0
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제 6항에 있어서, 상기 그라펜/금속나노입자 필름은, 상기 산화그라펜 분산용액에 금속전구체를 혼합한 후, 습식공정을 통해 환원시켜 금속나노입자를 그라펜 표면 위에 균일하게 형성시킨 그라펜/금속나노입자 분산용액을 제조하고 상기 그라펜/금속나노입자 분산용액을 여과기를 통하여 필름으로 형성시킨 후, 기판에 전사시킴을 특징으로 하는 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 6항에 있어서, 상기 그라펜/금속나노입자 필름은, 상기 산화그라펜/금속전구체 분산용액이 여과기를 통하여 필름으로 형성되고 기판에 전사됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 10항에 있어서, 상기 기판에 전사된 그라펜/금속나노입자 필름은 수소를 포함한 환원가스 분위기에서 건식환원과정이 진행됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 11항에 있어서, 상기 건식환원과정은 400℃~1100℃의 온도로 1시간~10시간 동안 실시됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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기판과;상기 기판의 상면에 형성되고, 산화그라펜 분산용액을 환원시켜 수직정렬된 첨부가 형성된 그라펜 필름과;상기 그라펜 필름 상에 형성되며, 금속전구체 분산용액을 환원시켜 수직정렬된 첨부가 형성된 그라펜/금속나노입자 필름;으로 구성된 그라펜을 이용한 전자 방출원에 있어서,상기 그라펜 필름 및 그라펜/금속나노입자 필름에 형성된 첨부는 여과기를 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 6항 또는 제 13항에 있어서, 산화그라펜 분산용액은,분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)를 산처리를 통해 합성한 후, 용매에 분산시켜 형성됨을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 13항에 있어서, 상기 금속전구체는 Al, Mg, Ag, Au, Cu, Pt, Pd, Ti, Ni 및 Co 중 어느 하나의 금속 또는 이들 중 둘 이상의 혼합물 금속이 포함된 것을 특징으로 하는 금속나노입자가 도입된 그라펜을 이용한 전자 방출원
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제 13항에 있어서, 상기 금속전구체는 산화그라펜과 금속전구체 혼합물 100 중량부에 대해 0
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