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탄소나노튜브 분말과 고분자 바인더를 혼합하여 탄소나노튜브 혼합물을 제조하는 제1단계와; 상기 제1단계에서 제조된 탄소나노튜브 혼합물을 제1용매에 분산시켜 탄소나노튜브 혼합액을 형성시키는 제2단계와;상기 제2단계의 탄소나노튜브 혼합액을 볼밀을 이용하여 분산시켜 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 제3단계와;상기 제3단계를 거친 탄소나노튜브 페이스트를 제2용매를 이용하여 희석시키는 제4단계와;상기 제4단계를 거쳐 희석된 탄소나노튜브 페이스트를 교반 또는 초음파 처리하여 희석된 탄소나노튜브 페이스트 분산액을 형성시키는 제5단계와;상기 제5단계를 거친 희석된 탄소나노튜브 페이스트 분산액을 원심분리 정체공정을 이용하여 상등액을 수거하는 제6단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 상기 바인더는 에틸셀룰로오스(EC), 카르복시메틸셀루로오즈(CMC), 폴리비닐아세테이트(PVA), 폴리비닐부티랄(PVB), 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 에폭시 및 폴리아크릴로니트릴(PAN) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계의 제1용매는, 물, 알코올, 아세톤, 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸폼아미드(DMF), 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 피리딘 및 테트라하이드로퓨란(THF) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제4단계의 제2용매는 물, 알코올, 아세톤, 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸폼아미드(DMF), 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 피리딘 및 테트라하이드로퓨란(THF) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제2용매에는 분산제가 첨가됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 분산제는 소듐도데실설포네이트, 소듐도데실벤젠설포네이트, Triton X-100 중 하나임을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 6단계에서 희석된 탄소나노튜브 페이스트 분산액 중 수거된 상등액은 염료감응형 태양전지의 상대전극으로 도포됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 도포는 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 스크린 프린팅 (screen printing) 중 하나가 됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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제8항에 있어서, 도포된 탄소나노튜브 전극은 50℃~400℃ 범위의 온도에서, 0
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제9항에 있어서, 상기 후열처리는 질소분위기, 아르곤 분위기, 대기 분위기, 진공 분위기 중 하나의 분위기에서 진행됨을 특징으로 하는 바인더를 포함한 페이스트의 희석에 의해 형성된 탄소나노튜브 분산액 제조방법
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