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마이크로 그리드 구조체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015163619
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 실리콘 플레이트의 제1면에 복수 개의 그리드 홈을 형성하는 제1단계, 열적 산화 공정을 통해 상기 실리콘 플레이트의 제1면 및 상기 제1면과 대향하는 제2면에 제1실리콘 산화막을 형성하는 제2단계, 상기 실리콘 플레이트의 제1면과 대향하는 제2면에 그루브를 형성하여 그리드 홀을 형성하는 제3단계 및 열적 산화 공정을 통해 상기 제1면 및 제2면에 제2실리콘 산화막을 형성하는 제4단계를 포함하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32422(2013.01)
출원번호/일자 1020110092464 (2011.09.14)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1337568-0000 (2013.11.29)
공개번호/일자 10-2013-0029208 (2013.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20131206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재홍 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 전석기 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 김정일 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 김근주 대한민국 경기도 안산시 단원구
5 허두창 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0711739-71
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0714191-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0056895-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0599967-59
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-1021931-59
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0018327-21
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0118274-12
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0202841-05
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2013.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0026944-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0294104-53
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0294103-18
13 등록결정서
Decision to grant
2013.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0602551-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 플레이트의 제1면에 복수 개의 그리드 홈을 형성하는 제1단계;열적 산화 공정을 통해 상기 실리콘 플레이트의 제1면 및 상기 제1면과 대향하는 제2면에 제1실리콘 산화막을 형성하는 제2단계;상기 실리콘 플레이트의 제1면과 대향하는 제2면에 그루브를 형성하여 상기 실리콘 플레이트를 관통하는 그리드 홀을 형성하는 제3단계;열적 산화 공정을 통해 상기 제1면, 제2면 및 상기 그리드 홀의 내면에 제2실리콘 산화막을 형성하는 제4단계; 및상기 실리콘 플레이트의 제1면으로부터 상기 그리드 홀의 측면 및 상기 그리드 홀에 의해 형성된 그리드 프레임의 측면까지 연장되도록 상기 제2실리콘 산화막 위에 금속층을 형성하는 제5단계를 포함하여, 마이크로 스케일의 복수개 그리드 홀을 갖는 마이크로 그리드 구조체 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,제2단계를 수행한 후, 그루브를 형성하기 위해 식각 공정을 통해 상기 제1실리콘 산화막에 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법
4 4
제1항에 있어서,제3단계 수행 후, 상기 제1실리콘 산화막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 그리드 홈은 건식 식각 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 그루브는 습식 식각 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속층은 제1금속층과 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제1금속층은 티타늄 층이며, 제2금속층은 골드층인 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.