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트렌치-게이트 축적모드 탄화규소 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터에서 자기정렬된 엔-베이스 채널 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015163645
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인버터, 컨버터 및 각종 전원장치에 사용되는 전력용 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지터 (MOSFET)의 제작에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 트렌치-게이트 축적모드 MOSFET (Accumulation-mode MOSFET: AccuFET) 에서 항복전압과 온저항 특성에 주도적인 영향을 미치는 채널두께를 일정하게 제작하기 위한 방법에 대한 것이다. 본 발명은 트렌치-게이트 축적모드 MOSFET (Accumulation-mode MOSFET: AccuFET) 에서 항복전압과 온저항 특성에 주도적인 영향을 미치는 채널이 형성되는 n-base 층 두께를 일정하게 만들기 위해 n형 고농도 탄화규소 기판 (600) 위에 특정한 항복전압 및 온저항을 결정하는 n형 저농도 드리프트 층 (610) 위에 MOSFET의 채널이 형성될 n-base 층 (620) 위에 고능도 n형 n-source 층 (630)으로 구성된 박막기판 위에 자기정렬을 위한 이온주입마스크 역할을 할 폴리실리콘(640) 위에 실리콘질화막(650)을 증착하는 제1단계와; 상기 이온주입마스크인 폴리실리콘(640)과 실리콘질화막(650)을 이용하여 이온주입 영역을 형성하기 위한 준비 단계인 제2단계와; 상기 이온주입마스크를 산화하여 실리콘산화막(660)을 형성하는p-base층 이온주입 영역을 정의하는 제3 단계와; 상기 제3단계에서 정의된 영역에 p-base층(680) 및 p-source층(690)을 형성하기 위해 이온 주입하는 제4 단계와; 트렌치-게이트 영역을 정의하기 위해 이온주입마스크의 산화층 (660)을 식각하여 undercut (615) 을 형성하는 제5단계와; 트렌치-게이트 영역을 정의하기 위한 식각마스크(625)를 증착하는 제6단계와; 상기 이온주입마스크에서 폴리실리콘이 드러난 영역을 식각하여 제거하여 트렌치-게이트 영역을 정의하고 정의된 영역을 건식식각(635) 을 통해 트렌치를 형성하는 제7단계와; 상기 식각마스크(625)를 식각을 통해 제거하는 제8단계;로 구성된 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/4236(2013.01)H01L 29/4236(2013.01)H01L 29/4236(2013.01)H01L 29/4236(2013.01)
출원번호/일자 1020110060811 (2011.06.22)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1172796-0000 (2012.08.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
2 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 방 욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 주성재 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0476131-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0024607-15
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0372395-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
트렌치-게이트 축적모드 MOSFET (Accumulation-mode MOSFET: AccuFET) 에서 항복전압과 온저항 특성에 주도적인 영향을 미치는 채널이 형성되는 n-base 층 두께를 일정하게 만들기 위해 n형 고농도 탄화규소 기판 (600) 위에 특정한 항복전압 및 온저항을 결정하는 n형 저농도 드리프트 층 (610) 위에 MOSFET의 채널이 형성될 n-base 층 (620) 위에 고능도 n형 n-source 층 (630)으로 구성된 박막기판 위에 자기정렬을 위한 이온주입마스크 역할을 할 폴리실리콘(640) 위에 실리콘질화막(650)을 증착하는 제1단계와; 상기 이온주입마스크인 폴리실리콘(640)과 실리콘질화막(650)을 이용하여 이온주입 영역을 형성하기 위한 준비 단계인 제2단계와; 상기 이온주입마스크를 산화하여 실리콘산화막(660)을 형성하는p-base층 이온주입 영역을 정의하는 제3 단계와; 상기 제3단계에서 정의된 영역에 p-base층(680) 및 p-source층(690)을 형성하기 위해 이온 주입하는 제4 단계와; 트렌치-게이트 영역을 정의하기 위해 이온주입마스크의 산화층 (660)을 식각하여 undercut (615) 을 형성하는 제5단계와; 트렌치-게이트 영역을 정의하기 위한 식각마스크(625)를 증착하는 제6단계와; 상기 이온주입마스크에서 폴리실리콘이 드러난 영역을 식각하여 제거하여 트렌치-게이트 영역을 정의하고 정의된 영역을 건식식각(635) 을 통해 트렌치를 형성하는 제7단계와; 상기 식각마스크(625)를 식각을 통해 제거하는 제8단계;로 구성된 것을 특징으로 하는 AccuFET의 n-base 영역 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, p-base 층 형성을 위한 이온주입공정을 먼저 수행하고 n+-source 층을 제거하기 위한 식각을 한 후 p+-source층 형성을 위한 이온주입을 수행하는 것을 특징으로 하는 AccuFET의 n-base 영역 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 제6 단계에서 식각 마스크 물질로 Ni인 것을 특징으로 하는 AccuFET의 n-base 영역 형성방법
4 4
제 3항에 있어서, 제6 단계에서 상기 식각 마스크의 높이가 0
5 5
제 1항에 있어서, 제 6단계에서, 식각마스크 물질로 W를 사용하고, 식각 이후 W를 제거할 필요 없이 이온활성화를 위한 고온열처리공정을 수행하여 이온활성화와 동시에 소스오믹층을 형성하는 것을 특징으로 하는 AccuFET의 n-base 영역 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.