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은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015163647
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법에 관한 것으로, Bi-Te-Se계 열전재료에 은 원소를 도핑재로 첨가하고, 진공상태의 앰플에 장입하여 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 도핑재가 첨가된 열전재료분말을 제조하는 제3단계와; 상기 도핑재가 첨가된 열전재료 분말을 열간 프레스 하는 제4단계와; 상기 제4단계를 거친 도핑재가 첨가된 열전재료를 컷팅시키는 제5단계;를 포함하여 구성되는 은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, Bi-Te-Se계 열전 재료에 은 원소를 도핑재로 첨가하여 소정의 급냉 및 소결 과정 그리고 열처리를 거침으로써 그 열전특성이 향상되는 이점이 있다.
Int. CL H01L 35/14 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020120002425 (2012.01.09)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1323319-0000 (2013.10.23)
공개번호/일자 10-2013-0081444 (2013.07.17) 문서열기
공고번호/일자 (20131029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오민욱 대한민국 경상남도 창원시 가
2 이희웅 대한민국 경남 창원시 성산구
3 김봉서 대한민국 경남 창원시 성산구
4 박수동 대한민국 경남 창원시 성산구
5 민복기 대한민국 경남 창원시 성산구
6 손지희 대한민국 경상남도 김해시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0020043-28
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0289022-36
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0589732-46
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0589694-09
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0591886-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Bi-Te-Se계 열전재료에 은 원소를 도핑재로 첨가하고, 진공상태의 앰플에 장입하여 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 도핑재가 첨가된 열전재료분말을 제조하는 제3단계와; 상기 도핑재가 첨가된 열전재료 분말을 열간 프레스 하는 제4단계와; 상기 제4단계를 거친 도핑재가 첨가된 열전재료를 컷팅시키는 제5단계;를 포함하여 구성되되, 상기 Bi-Te-Se계 열전재료는 Bi2Te2
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1단계의 은 원소는 0
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1단계는 아르곤 가스 분위기에서 진행됨을 특징으로 하는 은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1단계는, 700℃ 내지 1,000℃의 온도에서 8시간 내지 12시간 진행됨을 특징으로 하는 은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법
6 6
제 1항, 제 3항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제4단계는, 300℃ 내지 500℃의 온도, 100㎫ 내지 300㎫의 압력하에서 20분 내지 1시간 동안 진행됨을 특징으로 하는 은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.