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마이크로 그리드 게이트 및 이를 포함하는 트라이오드

  • 기술번호 : KST2015163662
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔의 방출경로에 배치되어 전자빔을 관통시키는 마이크로 그리드 게이트에 있어서, 제1면에 그루브가 형성되고, 상기 제1면과 대향하는 제2면에는 상기 그루브의 바닥면을 관통하는 그리드 홀이 형성된 그리드 프레임을 가지는 실리콘 플레이트, 상기 실리콘 플레이트의 표면에 형성된 실리콘 산화막층 및 상기 실리콘 산화막층의 상부면에 증착된 금속층을 가지는 마이크로 그리드 게이트를 제공한다.
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자 1020110092465 (2011.09.14)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1214431-0000 (2012.12.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재홍 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 전석기 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 김정일 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 김근주 대한민국 경기도 안산시 단원구
5 허두창 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0714239-79
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0711740-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0086718-16
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0721643-57
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자빔의 방출경로에 배치되어 전자빔을 관통시키는 마이크로 그리드 게이트에 있어서,제1면에 그루브가 형성되고, 상기 제1면과 대향하는 제2면에는 상기 그루브의 바닥면을 관통하는 그리드 홀이 형성된 그리드 프레임을 가지는 실리콘 플레이트;상기 실리콘 플레이트의 표면에 형성된 실리콘 산화막층; 및상기 실리콘 산화막층의 상부면에 증착된 금속층;을 가지는 마이크로 그리드 게이트
2 2
제1항에 있어서,상기 금속층은,상기 실리콘 산화막층의 상부면에 증착되는 제1금속층과, 상기 제1금속층의 상부면에 증착되는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 게이트
3 3
제2항에 있어서,상기 제1금속층은 티타늄층이며, 상기 제2금속층은 골드층인 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 게이트
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 금속층은,상기 실리콘 플레이트의 제2면 및 상기 그리드 프레임의 측면에 증착된 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 게이트
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 그루브의 깊이는 350㎛ 내지 500㎛인 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 게이트
6 6
전자빔을 방출하는 음극;상기 음극에서 방출된 전자빔이 도달하는 양극; 및상기 음극과 양극 사이에 배치되어 상기 전자빔을 통과시키는 마이크로 그리드 게이트를 포함하고,상기 마이크로 그리드 게이트는,제1면에 그루브가 형성되고, 상기 제1면과 대향하는 제2면에는 상기 그루브의 바닥면을 관통하는 그리드 홀이 형성된 그리드 프레임을 가지는 실리콘 플레이트;상기 실리콘 플레이트의 표면에 형성된 실리콘 산화막층; 및상기 실리콘 산화막층의 상부면에 증착된 금속층;을 가지는 것을 특징으로 하는 트라이오드
7 7
전자빔을 방출하는 음극;상기 음극에서 방출된 전자가 도달하는 양극; 및상기 음극과 양극 사이에 배치되어 상기 전자빔을 통과시키는 마이크로 그리드 게이트를 포함하고,상기 마이크로 그리드 게이트는,제1면에 그루브가 형성되고, 상기 제1면과 대향하는 제2면에는 상기 그루브의 바닥면을 관통하는 그리드 홀이 형성된 그리드 프레임을 가지는 실리콘 플레이트;상기 실리콘 플레이트의 표면에 형성된 실리콘 산화막층; 및상기 실리콘 산화막층의 상부면에 증착되며, 상기 실리콘 플레이트의 제2면 및 상기 그리드 프레임의 측면에 증착된 금속층;을 가지는 것을 특징으로 하는 트라이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.