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다수의 단위 광결정 패턴들이 주기적으로 격자(grid) 형태로 배치되는 광결정 회로를 포함하는 광 결정 밴드갭 소자의 제조방법에 있어서,(a) 금속층을 이용하여 두 개의 웨이퍼들을 본딩(bonding)하는 단계;(b) 상기 광결정 회로 제작을 위해 상기 본딩된 웨이퍼들 중 상판 웨이퍼에 대해 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하여 상판 웨이퍼의 두께를 조절하는 단계;(c) 상기 상판 웨이퍼의 두께를 조절하는 것에 의해 상기 광결정 회로의 주파수 대역이 결정된 후 감광성 에칭 마스크(photosensitive etching mask)를 이용하여 상기 광결정 회로 제작을 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및(d) 상기 마스크 패턴에 대해 습식 식각 공정을 적용하여 상기 광 결정 밴드갭 소자를 제조하는 단계를 포함하며,상기 (a) 단계에서의 두 개의 웨이퍼들 각각은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에 의해 양면연마(Double Side Polishing)되어 상기 (a) 단계에서의 웨이퍼들 각각의 두께가 조절되고,상기 두께가 조절된 웨이퍼에는 열산화막이 증착되는 광 결정 밴드갭 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 웨이퍼는 {100} 결정면을 가지는 실리콘 웨이퍼인 광 결정 밴드갭 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광 결정 밴드갭 소자는 5이상이고 500이하인 마이크로미터 크기를 가지는 광 결정 밴드갭 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계의 습식 식각 공정은 비등방성(anisotropic) 습식 식각 공정인 광 결정 밴드갭 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계는,(d1) 상기 마스크 패턴에 비등방성 습식 식각(anisotropic wet etching) 용액을 적용하여 상기 광 결정 밴드갭 소자의 광결정 회로 패턴을 형성하는 단계; 및(d2) 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정을 이용하여 상기 감광성 에칭 마스크를 제거하고 상기 광 결정 밴드갭 소자를 제조하는 단계를 포함하는 광 결정 밴드갭 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광성 에칭 마스크에 포함된 단위 마스크 패턴들 각각은 정사각형 형태의 패턴, 제1 정사각형의 모서리 각각에 제1 정사각형의 크기보다 각각 상대적으로 작은 크기를 가지는 4개의 제2 정사각형들이 결합된 형태의 패턴, 또는 {100} 결정면을 가지는 상판 웨이퍼 결정면을 기준으로 45도(degree) 기울어진 정사각형 형태의 패턴이고,상기 정사각형 형태의 단위 마스크 패턴에 의해 육각형 형태의 상기 광결정 회로에 포함된 단위 광결정 패턴이 형성되고, 상기 제1 정사각형의 모서리 각각에 제1 정사각형의 크기보다 각각 상대적으로 작은 크기를 가지는 4개의 제2 정사각형들이 결합된 형태의 단위 마스크 패턴에 의해 정사각형 형태의 상기 광결정 회로에 포함된 단위 광결정 패턴이 형성되고, 상기 {100} 결정면을 가지는 상판 웨이퍼 결정면을 기준으로 45도(degree) 기울어진 정사각형 형태의 단위 마스크 패턴에 의해 {100} 결정면을 가지는 상판 웨이퍼 결정면을 기준으로 45도(degree) 기울어진 정사각형 형태의 상기 광결정 회로에 포함된 단위 광결정 패턴이 형성되는 광 결정 밴드갭 소자의 제조방법
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