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식각공정을 활용한 블랙 반도체의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015163690
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 식각공정을 활용한 블랙 반도체의 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 표면에 나노분말(nano powder)을 위치시키는 제 1단계와; 상기 나노분말을 마스크(mask)로 하여 반도체를 식각하여 표면거칠기를 유발하는 제 2단계;포함하여 진행되어 반도체 표면에 인위적으로 표면거칠기(surface roughness)를 유발하는 것을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 나노분말(nano powder)을 실리콘 카바이드 표면에 뿌린 후 플라즈마 건식식각 공정을 거쳐서 반사도가 0에 가까운 블랙 실리콘 카바이드를 손쉽게 얻을 수 있으며, 상기 블랙 실리콘 카바이드는 광소자, 생체소자, 각종 화학센서 등에 응용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020120004878 (2012.01.16)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1215565-0000 (2012.12.18)
공개번호/일자 10-2012-0016308 (2012.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20121226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2010-0072135 (2010.07.26)
관련 출원번호 1020100072135
심사청구여부/일자 Y (2012.01.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주성재 대한민국 경남 창원시 성산구
2 강민석 대한민국 서울 동작구
3 구상모 대한민국 서울 성동구
4 방 욱 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0039237-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0121656-33
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0343954-38
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0425397-18
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0520434-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0602961-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0602948-17
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0724961-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
반도체 표면에 나노분말(nano powder)을 위치시키는 제 1단계와;상기 나노분말을 마스크(mask)로 하여 반도체를 식각하여 표면거칠기를 유발하는 제 2단계;를 포함하여 진행되어 반도체 표면에 인위적으로 표면거칠기(surface roughness)를 유발하되, 상기 반도체는 실리콘 카바이드이고, 식각 공정이 플라즈마를 이용하는 건식식각 공정이고, 상기 건식식각 공정에 상기 나노분말이 식각되지 않도록 하여 나노분말이 마이크로마스크로 이용됨을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노분말은 Au, Ag, Cu, Ni, Cr, Al, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2 및 Al2O3 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 나노분말의 직경이 1 ~ 100nm임을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 나노분말을 액체에 분산시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 식각공정을 활용한 블랙 실리콘 카바이드의 형성 방법
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